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位置：首页 > IC中文资料第9874页 > AS4C14400

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
AS4C14400

1M-bit 횞 4 CMOS DRAM (Fast page mode or EDO)

Features • Organization: 1,048,576 words × 4 bits • High speed - 40/50/60/70 ns RAS access time - 20/25/30/35 ns column address access time - 10/13/15/18 ns CAS access time • Low power consumption - Active: 385 mW max (-60) - Standby: 5.5 mW max, CMOS I/O • Fast page mode (

ALSC

AS4C14400-40JC

1M-bit 횞 4 CMOS DRAM (Fast page mode or EDO)

Features • Organization: 1,048,576 words × 4 bits • High speed - 40/50/60/70 ns RAS access time - 20/25/30/35 ns column address access time - 10/13/15/18 ns CAS access time • Low power consumption - Active: 385 mW max (-60) - Standby: 5.5 mW max, CMOS I/O • Fast page mode (

ALSC

AS4C14400-40TC

1M-bit 횞 4 CMOS DRAM (Fast page mode or EDO)

Features • Organization: 1,048,576 words × 4 bits • High speed - 40/50/60/70 ns RAS access time - 20/25/30/35 ns column address access time - 10/13/15/18 ns CAS access time • Low power consumption - Active: 385 mW max (-60) - Standby: 5.5 mW max, CMOS I/O • Fast page mode (

ALSC

AS4C14400-50JC

1M-bit 횞 4 CMOS DRAM (Fast page mode or EDO)

Features • Organization: 1,048,576 words × 4 bits • High speed - 40/50/60/70 ns RAS access time - 20/25/30/35 ns column address access time - 10/13/15/18 ns CAS access time • Low power consumption - Active: 385 mW max (-60) - Standby: 5.5 mW max, CMOS I/O • Fast page mode (

ALSC

AS4C14400-50TC

1M-bit 횞 4 CMOS DRAM (Fast page mode or EDO)

Features • Organization: 1,048,576 words × 4 bits • High speed - 40/50/60/70 ns RAS access time - 20/25/30/35 ns column address access time - 10/13/15/18 ns CAS access time • Low power consumption - Active: 385 mW max (-60) - Standby: 5.5 mW max, CMOS I/O • Fast page mode (

ALSC

AS4C14400-60JC

1M-bit 횞 4 CMOS DRAM (Fast page mode or EDO)

Features • Organization: 1,048,576 words × 4 bits • High speed - 40/50/60/70 ns RAS access time - 20/25/30/35 ns column address access time - 10/13/15/18 ns CAS access time • Low power consumption - Active: 385 mW max (-60) - Standby: 5.5 mW max, CMOS I/O • Fast page mode (

ALSC

AS4C14400-60TC

1M-bit 횞 4 CMOS DRAM (Fast page mode or EDO)

Features • Organization: 1,048,576 words × 4 bits • High speed - 40/50/60/70 ns RAS access time - 20/25/30/35 ns column address access time - 10/13/15/18 ns CAS access time • Low power consumption - Active: 385 mW max (-60) - Standby: 5.5 mW max, CMOS I/O • Fast page mode (

ALSC

AS4C14400-70JC

1M-bit 횞 4 CMOS DRAM (Fast page mode or EDO)

Features • Organization: 1,048,576 words × 4 bits • High speed - 40/50/60/70 ns RAS access time - 20/25/30/35 ns column address access time - 10/13/15/18 ns CAS access time • Low power consumption - Active: 385 mW max (-60) - Standby: 5.5 mW max, CMOS I/O • Fast page mode (

ALSC

AS4C14400-70TC

1M-bit 횞 4 CMOS DRAM (Fast page mode or EDO)

Features • Organization: 1,048,576 words × 4 bits • High speed - 40/50/60/70 ns RAS access time - 20/25/30/35 ns column address access time - 10/13/15/18 ns CAS access time • Low power consumption - Active: 385 mW max (-60) - Standby: 5.5 mW max, CMOS I/O • Fast page mode (

ALSC

AS4C14400-50JC

1M-bit ?4 CMOS DRAM fast page mode, single 5V power supply, 50ns

ETC

知名厂家

AS4C14400产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    AS4C14400

  • 制造商

    ALSC

  • 制造商全称

    Alliance Semiconductor Corporation

  • 功能描述

    1M-bit × 4 CMOS DRAM(Fast page mode or EDO)

AS4C14400供应商更多...

更新时间：2025-11-19 9:16:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市安富世纪电子有限公司
AS4C16270-60JC
ALLANCE
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SOJ40
1
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深圳市恒达亿科技有限公司
AS4C14400-60JC
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现代芯城（深圳）科技有限公司
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DDR1, 256Mb, 16M x 16, 2.5V,BGA,200MHz, Commercial
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深圳市亿智腾科技有限公司
AS4C14400-703C
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6540
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深圳市豪迈兴电子有限公司
AS4C14400-703C
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深圳市欧立现代科技有限公司
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讯运(深圳/上海)电子有限公司
AS4C16M16D1-5BCN
Alliance Memory
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深圳市斌腾达科技有限公司
AS4C16M16D1-5BCN
Alliance Memory, Inc.
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