混合信号模拟基带处理芯片

AS2001A是一款混合信号模拟基带处理芯片，可用于SCDMA制式的移动通信终端和数据终端。\r\n AS2001A集成有双路8-bit、7.5Msps接收ADC，双路8-bit、7.5Msps发射DAC用于射频信号处理。集成的3路快速建立型8-bit辅助DAC可用于对射频前端芯片的控制。此外AS2001A还提供2路10-bit辅助DAC，可用于测量电池电压和温度。\r\n AS2001A内置完整的单声道音频解决方案，包括16-bit Sigma-Delta型音频编解码电路，可直接驱动的耳机和麦克风接口。内置的可直接驱动扬声器的音频功率放大器输出功率可达1W。\r\n AS2 • 采用0.18微米CMOS工艺，低功耗，低电压供电\r\n• 待机电流 < 1mA，关机电流 < 8uA\r\n• 双路8-bit接收ADC，双路8-bit发射DAC，在7.5Msps下功耗低至13.2mW\r\n• 3通道8-bit辅助DAC，用于控制射频前端芯片\r\n• 2通道10-bit辅助ADC，可用于模拟量测量\r\n• 集成的单声道16-bit Sigma-Delta型音频编解码电路\r\n• 集成的音频功率放大器，可直接驱动扬声器，输出功率可达1W\r\n• 灵活的基带、音频和控制接口\r\n• 带闹钟的实时时钟\r\n• 集成度电源复位、低电源检测和开关机功能\r\n• 集;

16bit 10MSPS SAR ADC

SAR ADC是一种低过采样率的ADC，可以取得比SD ADC更高的采样率。通过电容阵列和核心电路低噪声的设计，SAR ADC也可以取得16bit左右的高精度。结合MHz的采样率，SAR ADC可以成为众多传感器和通用电子系统的高精度量化选择。\n\n原子半导体采用特有的设计技术，可以实现16bit 10MHz以下所有精度和速度的SAR ADC设计。

可编程交流变频电源

AS2000系列单/三相可编程交流变频电源采用SPWM高频脉宽调制方式，先进的直接数字频率合成器（DDS)波形产生技术，提供干净的正弦波输出，可模拟标准或异常的电压及频率状态，单机输出功率可达2000kVA，并可选配步阶、渐变、三相独立可调、缓启动输出等功能。应用于家用电器、商用空调压缩机、电机电子、照明等产业，并更加适合实验室、认证/研发单位等有高精密或复杂的电源应用场合。 ◇采用先进的直接数字频率合成器（DDS）波形产生技术，频率稳定度高，连续性好；\n◇测量精度高，适用电流正弦半波及其类似的带直流分量的各种波形的测试；\n◇提供嵌入式智能化PC机监控系统；\n◇全范围可调输出电压0-150.0V，0-300.0V，步距0.1V（0-2000V电压需订制）；\n◇输出频率45-120Hz（40-500 Hz选购,10-1000Hz订购），步距0.1 Hz；\n◇输出电流限定功能；\n◇具有9组记忆，可以将常用的参数存储，以便使用时轻松调用；\n◇具有RS232C通讯接口【IEEE488.2(GPIB)可选】，指令执行时间小于10ms；\n◇保护模式：过压，过流，;

ADSL POTS Splitter For CPE

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256KB Asynchronous Secondary Cache Module for PowerPC

The MPC2001 is designed to provide asynchronous 256KB L2 cache for the PowerPC 60x processors. The module is configured as 32K x 64 bits in a 136 pin dual readout single inline memory module (DIMM). The module uses eight of Motorola’s MCM6206 CMOS RAMs. Eight write enables are provided for byte w

900 MHz DOWNCONVERTER LNA/MIXER SILICON MONOLITHIC INTEGRATED CIRCUIT

The MRFIC2001 is an integrated downconverter designed for receivers operating in the 800 MHz to 1.0 GHz frequency range. The design utilizes Motorola’s advanced MOSAIC 3 silicon bipolar RF process to yield superior performance in a cost effective monolithic device. Applications for the MRFIC2001 i

MICROWAVE POWER TRANSISTORS

The RF Line Microwave Power Transistors Designed primarily for large–signal output and driver amplifier stages in the 1.0 to 2.3 GHz frequency range. • Designed for Class B or C, Common Base Power Amplifiers • Specified 28 Volt, 2.0 GHz Characteristics: Output Power — 1.0 to 20 Watts P

High Precision, 6MHz Rail-To-Rail Output Operational Amplifier

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High Precision, 6MHz Rail-To-Rail Output Operational Amplifier

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