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AQV454A价格

参考价格：￥24.5960

型号：AQV454A 品牌：Panasonic 备注：这里有AQV454A多少钱，2026年最近7天走势，今日出价，今日竞价，AQV454A批发/采购报价，AQV454A行情走势销售排行榜，AQV454A报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
AQV454A

HE (High-function Economy) Type 1- Channel (Form B) Type

HE (High-function Economy) Type 1- Channel (Form B) Type FEATURES 1. Form B (Normally-closed) type Has been realized thanks to the built-in MOSFET processed by our proprietary method, DSD (Double-diffused and Selective Doping) method. 2. Controls low-level analog signals PhotoMOS rel

NAIS

松下电器

AQV454A

封装/外壳：6-SMD（0.300"，7.62mm） 包装：散装 描述：SSR RELAY DPST-NC 150MA 0-400V 继电器 固态继电器

ETC

知名厂家

AQV454A

封装/外壳：6-SMD（0.300"，7.62mm） 包装：散装 描述：SSR RELAY DPST-NC 150MA 0-400V 继电器 固态继电器

ETC

知名厂家

AQV454A

PhotoMOS HE 1b

PANASONIC

松下

AQV454AX

HE (High-function Economy) Type 1- Channel (Form B) Type

HE (High-function Economy) Type 1- Channel (Form B) Type FEATURES 1. Form B (Normally-closed) type Has been realized thanks to the built-in MOSFET processed by our proprietary method, DSD (Double-diffused and Selective Doping) method. 2. Controls low-level analog signals PhotoMOS rel

NAIS

松下电器

AQV454AZ

HE (High-function Economy) Type 1- Channel (Form B) Type

HE (High-function Economy) Type 1- Channel (Form B) Type FEATURES 1. Form B (Normally-closed) type Has been realized thanks to the built-in MOSFET processed by our proprietary method, DSD (Double-diffused and Selective Doping) method. 2. Controls low-level analog signals PhotoMOS rel

NAIS

松下电器

AQV454AX

PhotoMOS HE 1b

PANASONIC

松下

AQV454AZ

PhotoMOS HE 1b

PANASONIC

松下

MRF454

RF POWER TRANSISTOR NPN SILICON

The RF Line NPN Silicon RF Power Transistor Designed for power amplifier applications in industrial, commercial and amateur radio equipment to 30 MHz. • Specified 12.5 Volt, 30 MHz Characteristics — Output Power = 80 Watts Minimum Gain = 12 dB Efficiency = 50

MOTOROLA

摩托罗拉

NDT454

P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

General Description Power SOT P-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchilds proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process is especially tailored to minimize on-state resistance and provide superior switching performance.

FAIRCHILD

仙童半导体

NDT454P

P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

General Description Power SOT P-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchilds proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process is especially tailored to minimize on-state resistance and provide superior switching performance.

FAIRCHILD

仙童半导体

SZ454D

SURFACE MOUNT SILICON ZENER DIODES

VZ : 2.7 - 200 Volts PD : 2 Watts FEATURES : * Complete Voltage Range 2.7 to 200 Volts * High peak reverse power dissipation * High reliability * Low leakage current * Pb / RoHS Free

EIC

ZTX454

NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS

FEATURES * 140 Volt VCEO * 1 Amp continuous current * Ptot= 1 Watt

ZETEX

AQV454A产品属性

  • 类型

    描述

  • 类型：

    HE

  • 封装：

    DIP6

  • 电压类型：

    AC/DC

  • 输出构成：

    1b

  • 端子形状：

    表面安装端子

  • 包装方式：

    管装包装

  • 包装数量内箱 (管装包装) (个)：

    50

  • 包装数量外箱 (个)：

    500

  • LED电流 [ IF ]：

    50mA

  • LED反向电压 [ VR ]：

    5V

  • 最大正向电流 [ IFP ]：

    1A

  • 部允许损耗 [ Pin ]：

    75mW

  • 负载电压 [ VL ]：

    400V

  • 连续负载电流 [ IL ]：

    0.15A

  • 峰值负载电流 [ Ipeak ]：

    0.5A

  • 输出损耗 [ Pout ]：

    360mW

  • 全部允许损耗 [ Pt ]：

    410mW

  • 耐电压 [ Viso ]：

    1

  • 使用环境温度：

    动作温度 [ Topr ]

  • 使用环境温度：

    保存温度 [ Tstg ]

  • 接合部温度 [ Tj ]：

    125°C

  • 动作LED电流(平均)：

    0.9mA

  • 动作LED电流(最大)：

    3.0mA

  • 复位LED电流(最小)：

    0.4mA

  • 复位LED电流(平均)：

    0.8mA

  • LED压降(平均) [ VF ]：

    1.25V

  • LED压降(最大) [ VF ]：

    1.5V

  • 导通电阻(平均) [ Ron ]：

    11 ohm

  • 导通电阻(最大) [ Ron ]：

    16 ohm

  • 开路状态漏电流(最大) [ ILeak ]：

    1μA

  • 过电流保护功能：

    无功能

  • 动作时间(平均)：

    1.2ms

  • 动作时间(最大)：

    2ms

  • 复位时间(平均)：

    0.36ms

  • 复位时间(最大)：

    1ms

  • 输入/输出间端子容量(平均) [ Ciso ]：

    1.3pF

  • 输入/输出间端子容量(最大) [ Ciso ]：

    3pF

  • 输入/输出绝缘电阻(最小) [ Riso ]：

    1

  • [推荐动作条件] LED电流 [ IF ]：

    最小：5mA　最大：30mA

  • [推荐动作条件] 负载电压 [ VL ]：

    最大：320V

  • [推荐动作条件] 连续负载电流 [ IL ]：

    最大：0.15A

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更新时间：2026-8-2 11:16:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市宇创芯科技有限公司
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