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位置：首页 > IC中文资料第5355页 > APTGT100DA120TG

型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
APTGT100DA120TG

Boost chopper Fast Trench Field Stop IGBT Power Module

文件：256.69 Kbytes Page：5 Pages

Microsemi

美高森美

APTGT100DA120TG

封装/外壳：SP4 包装：散装 描述：IGBT MODULE 1200V 140A 480W SP4 分立半导体产品 晶体管 - IGBT - 模块

Microsemi

美高森美

GT100DA120U

Insulated Gate Bipolar Transistor (Trench IGBT), 100 A

FEATURES • Trench IGBT technology with positive temperature coefficient • Square RBSOA • 10 μs short circuit capability •HEXFRED® antiparallel diodes with ultrasoft reverse recovery •TJmaximum = 150 °C • Fully isolated package • Very low internal inductance (5 nH typical)

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半导体

GT100DA120U

Insulated Gate Bipolar Transistor (Trench IGBT), 100 A

FEATURES • Trench IGBT technology with positive temperature coefficient • Square RBSOA • 10 μs short circuit capability • HEXFRED® antiparallel diodes with ultrasoft reverse recovery • TJ maximum = 150 °C • Fully isolated package • Very low internal inductance ( 5 nH typical) • Industry

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半导体

SK100DA120D

NPN POWER DARLUNGTON MODULES 100A 1200V

NPN Power Darlungton Modules 100A, 1200V

Semikron

赛米控丹佛斯

APTGF100DA120TG

Boost chopper NPT IGBT Power Module

文件：286.46 Kbytes Page：6 Pages

Microsemi

美高森美

APTGT100DA120TG产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    APTGT100DA120TG

  • 功能描述

    IGBT 1200V 140A 480W SP4

  • RoHS

    是

  • 类别

    半导体模块 >> IGBT

  • 系列

    -

  • 标准包装

    10

  • 系列

    GenX3™ IGBT

  • 类型

    PT

  • 配置

    单一 电压 -

  • 集电极发射极击穿（最大）

    600V Vge,

  • Ic时的最大Vce（开）

    1.4V @ 15V，100A 电流 -

  • 集电极(Ic)（最大）

    430A 电流 -

  • 集电极截止（最大）

    100µA Vce

  • 时的输入电容(Cies)

    31nF @ 25V 功率 -

  • 最大

    1000W

  • 输入

    标准 NTC

  • 热敏电阻

    无

  • 安装类型

    底座安装

  • 封装/外壳

    SOT-227-4，miniBLOC

  • 供应商设备封装

    SOT-227B

APTGT100DA120TG供应商更多...

更新时间：2025-8-10 15:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市永贝尔科技有限公司
APTGT100DA170D1
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