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APTD2012F3C

2.0 x 1.25 mm Infrared Emitting Diode

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TO-GRACE

至恩科技

APTD2012F3C

封装/外壳:0805(2012 公制) 包装:卷带(TR)剪切带(CT) 描述:INFRARED EMITTING DIODE 光电器件 LED 发射器 - 红外,紫外,可见光

KINGBRIGHT

今台电子

APTD2012F3C

红外发射管

KINGBRIGHT

今台电子

2.0x1.25mm INFRA-RED EMITTING DIODE

Description F3 Made with Gallium Arsenide Infrared Emitting diodes. Features ● 2.0mmx1.25mm SMT LED,1.1mm THICKNESS. ● MECHANICALLY AND SPECTRALLY MATCHED TO THE PHOTOTRANSISTOR. ● WATER CLEAR LENS. ● PACKAGE: 2000PCS / REEL. ● RoHS COMPLIANT.

KINGBRIGHT

今台电子

2.0x1.25 mm INFRARED EMITTING DIODE

DESCRIPTION ● F3 Made with Gallium Arsenide Infrared Emitting diodes FEATURES ● 2.0 mm x 1.25 mm SMD LED, 0.75 mm thickness ● Mechanically and spectrally matched to the phototransistor ● Package: 2000 pcs / reel ● Moisture sensitivity level: 3 ● Halogen-free ● RoHS compliant APPLICATI

KINGBRIGHT

今台电子

2.0 x 1.25 mm Infrared Emitting Diode

DESCRIPTION ● F3 Made with Gallium Arsenide Infrared Emitting diodes FEATURES ● 2.0 mm x 1.25 mm SMD LED, 0.75 mm thickness ● Mechanically and spectrally matched to the phototransistor ● Package: 2000 pcs / reel ● Moisture sensitivity level: 3 ● RoHS compliant APPLICATIONS ● Infrared Illu

TO-GRACE

至恩科技

2.0x1.25mm INFRARED EMITTING DIODE

文件:391.34 Kbytes Page:5 Pages

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今台电子

APTD2012F3C产品属性

  • 类型

    描述

  • 波长:

    940nm;940nm;940nm

  • 辐射强度:

    2mW/sr@20mA;2mW/sr@20mA;2mW/sr@20mA

  • 视角:

    40°;40°;40°

  • 工作温度:

    -40℃~+85℃;-40℃~+85℃;-40℃~+85℃

更新时间:2026-8-2 16:30:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
APT
24+
28
APT
22+
模块
8200
原装现货库存.价格优势!!
APT
23+
TO-59
8510
原装正品代理渠道价格优势
Microch
20+
NA
33560
原装优势主营型号-可开原型号增税票
APT
26+
模块
3562
代理全系列销售, 全新原装正品,价格优势,长期供应,量大可订
APT
23+
5000
原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详
APT
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全新原装正品,量大可订货!可开17%增值票!价格优势!
Microsemi
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电联咨询
7800
公司现货,提供拆样技术支持
Microsemi Corporation
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SOT227
9000
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25+
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