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AP2012F3C价格
参考价格:¥0.4730
型号:AP2012F3C 品牌:Kingbright 备注:这里有AP2012F3C多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,AP2012F3C批发/采购报价,AP2012F3C行情走势销售排行榜,AP2012F3C报价。型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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AP2012F3C | 2.0x1.25mm INFRA-RED EMITTING DIODE Description F3 Made with Gallium Arsenide Infrared Emitting diodes. Features ● 2.0mmx1.25mm SMT LED,1.1mm THICKNESS. ● MECHANICALLY AND SPECTRALLY MATCHED TO THE PHOTOTRANSISTOR. ● WATER CLEAR LENS. ● PACKAGE: 2000PCS / REEL. ● RoHS COMPLIANT. | Kingbright 今台电子 | ||
2.0x1.25 mm INFRARED EMITTING DIODE DESCRIPTION ● F3 Made with Gallium Arsenide Infrared Emitting diodes FEATURES ● 2.0 mm x 1.25 mm SMD LED, 0.75 mm thickness ● Mechanically and spectrally matched to the phototransistor ● Package: 2000 pcs / reel ● Moisture sensitivity level: 3 ● Halogen-free ● RoHS compliant APPLICATI | Kingbright 今台电子 | |||
2.0 x 1.25 mm Infrared Emitting Diode DESCRIPTION ● F3 Made with Gallium Arsenide Infrared Emitting diodes FEATURES ● 2.0 mm x 1.25 mm SMD LED, 0.75 mm thickness ● Mechanically and spectrally matched to the phototransistor ● Package: 2000 pcs / reel ● Moisture sensitivity level: 3 ● RoHS compliant APPLICATIONS ● Infrared Illu | TO-GRACE 至恩科技 | |||
2.0 x 1.25 mm Infrared Emitting Diode 文件:879.24 Kbytes Page:4 Pages | TO-GRACE 至恩科技 | |||
2.0x1.25mm INFRARED EMITTING DIODE 文件:391.34 Kbytes Page:5 Pages | Kingbright 今台电子 |
AP2012F3C产品属性
- 类型
描述
- 型号
AP2012F3C
- 功能描述
红外发射源 940nm 120 DEGREE WATER CLEAR
- RoHS
否
- 制造商
Fairchild Semiconductor
- 波长
880 nm
- 射束角
+/- 25
- 最大工作温度
+ 100 C
- 最小工作温度
- 40 C
- 封装/箱体
Side Looker
- 封装
Bulk
IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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KINGBRIGHT |
21+ |
SMDSMT |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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KINGBRIGHT |
22+ |
原厂原封 |
8200 |
原装现货库存.价格优势!! |
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Kingbri |
25+ |
0805红发红 |
12588 |
原装现货价格优势 |
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24+ |
N/A |
79000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
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kingbright |
20+ |
LED |
83000 |
LED原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
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KINGBRIGHT |
23+ |
NA |
19960 |
只做进口原装,终端工厂免费送样 |
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ALLPOWER铨力 |
24+ |
SOP-8 |
60000 |
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ALL-POWER |
24+ |
con |
50 |
国产代理品牌 价格交期有优势 欢迎询价 |
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KINGBRIGHT |
23+ |
LED |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
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ALL-POWER |
50 |
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2012-12-4
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