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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
APTCV90TL12T3G | Three level inverter CoolMOS & Trench Field Stop IGBT4 Power Module 文件：245.79 Kbytes Page：9 Pages | MICROSEMI 美高森美 |   | |
APTCV90TL12T3G | 封装/外壳：SP3 包装：散装 描述：IGBT MODULE 1200V 80A 280W SP3 分立半导体产品 晶体管 - IGBT - 模块 | MICROSEMI 美高森美 | | |
APTCV90TL12T3G | IGBT / MOSFET Modules | MICROCHIP 微芯科技 | |
APTCV90TL12T3G产品属性
- 类型
描述
- 型号
APTCV90TL12T3G
- 功能描述
POWER MODULE IGBT QUAD 900V SP3
- RoHS
是
- 类别
半导体模块 >> IGBT
- 系列
-
- 标准包装
10
- 系列
GenX3™ IGBT
- 类型
PT
- 配置
单一 电压 -
- 集电极发射极击穿（最大）
600V Vge,
- Ic时的最大Vce（开）
1.4V @ 15V，100A 电流 -
- 集电极(Ic)（最大）
430A 电流 -
- 集电极截止（最大）
100µA Vce
- 时的输入电容(Cies)
31nF @ 25V 功率 -
- 最大
1000W
- 输入
标准 NTC
- 热敏电阻
无
- 安装类型
底座安装
- 封装/外壳
SOT-227-4，miniBLOC
- 供应商设备封装
SOT-227B
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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KINGBRIGHT |
23+ |
SMD |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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332000 |
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APTCV90TL12T3G数据表相关新闻
APTD3216LVBC/D
优势渠道
2023-12-26APTDF400KK170G 分立半导体模块
APTDF400KK170G 分立半导体模块 CC6136
2023-2-27APT60GF120JRDQ3
制造商零件编号 APT60GF120JRDQ3 Manufacturer Or OEM Microsemi Corporation 描述 IGBT 1200V 149A 625W SOT227 说明 IGBT Module NPT 单路 1200V 149A 625W 底座安装 ISOTOP? 对无铅/(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 湿气敏感性等级（MSL） 1（无限） 最低订购数量 1 标准包装 1
2020-12-11APT50M60JVR 假一罚十
进口原装正品 ，欢迎咨询。
2020-6-29APTGS25X120BTP2G，APTGS25X120RTP2G，APTGS50X170E3G，APTGS50X170TE3G
APTGS25X120BTP2G，APTGS25X120RTP2G，APTGS50X170E3G，APTGS50X170TE3G
2020-2-23APT8020JFLL
APT8020JFLL，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2019-3-5
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