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APTCV60TLM99T3G

Three level inverter CoolMOS & Trench Field Stop IGBT Power

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Microsemi

美高森美

APTCV60TLM99T3G

封装/外壳:SP3 包装:散装 描述:IGBT MODULE 600V 50A 90W SP3 分立半导体产品 晶体管 - IGBT - 模块

Microchip

微芯科技

APTCV60TLM99T3G

600V/Three level inverter/Si Mosfet modules

Microchip

微芯科技

APTCV60TLM99T3G产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    APTCV60TLM99T3G

  • 功能描述

    POWER MODULE IGBT QUAD 600V SP3

  • RoHS

  • 类别

    半导体模块 >> IGBT

  • 系列

    -

  • 标准包装

    10

  • 系列

    GenX3™ IGBT

  • 类型

    PT

  • 配置

    单一 电压 -

  • 集电极发射极击穿(最大)

    600V Vge,

  • Ic时的最大Vce(开)

    1.4V @ 15V,100A 电流 -

  • 集电极(Ic)(最大)

    430A 电流 -

  • 集电极截止(最大)

    100µA Vce

  • 时的输入电容(Cies)

    31nF @ 25V 功率 -

  • 最大

    1000W

  • 输入

    标准 NTC

  • 热敏电阻

  • 安装类型

    底座安装

  • 封装/外壳

    SOT-227-4,miniBLOC

  • 供应商设备封装

    SOT-227B

更新时间:2025-11-22 20:00:00
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