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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
APT66M60B2 | N-Channel MOSFET 文件：398.16 Kbytes Page：4 Pages | Microsemi 美高森美 |   | |
APT66M60B2 | N-Channel MOSFET 文件：132.79 Kbytes Page：4 Pages | Microsemi 美高森美 | | |
APT66M60B2 | isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：419.97 Kbytes Page：2 Pages | ISC 无锡固电 | | |
APT66M60B2 | MOSFET | Microchip 微芯科技 | | |
N-Channel MOSFET 文件：132.79 Kbytes Page：4 Pages | Microsemi 美高森美 | |
APT66M60B2产品属性
- 类型
描述
- 型号
APT66M60B2
- 功能描述
MOSFET N-CH 600V 66A T-MAX
- RoHS
是
- 类别
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列
-
- 标准包装
1,000
- 系列
MESH OVERLAY™ FET
- 型
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
- 特点
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大
40W
- 安装类型
通孔
- 封装/外壳
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装
TO-220FP
- 包装
管件
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEO |
24+ |
TO-3P |
8000 |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
|||
INFINEON |
12+ |
TO-3P |
18 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
Microch |
20+ |
NA |
33560 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
|||
APT |
25+ |
TO-3P |
54 |
原装正品,欢迎来电咨询! |
|||
APT |
12+ |
TO-247 |
30 |
||||
INFINEON |
24+ |
TO-3P |
5000 |
全新原装正品,现货销售 |
|||
Infineon |
原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
||||
INFINEON |
24+ |
TO-3P |
65300 |
一级代理/放心购买! |
|||
INFINEON |
24+ |
TO-3P |
8500 |
全新原装正品,假一赔十 |
|||
MICROCHIP/微芯 |
2406+ |
33000 |
诚信经营!进口原装!量大价优! |
APT66M60B2规格书下载地址
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优势渠道
2023-12-26APTDF400KK170G 分立半导体模块
APTDF400KK170G 分立半导体模块 CC6136
2023-2-27APT32F101H6S6
APT32F101H6S6，全新原装现货0755-82732291当天发货或门市自取. QQ：1755232575 /QQ：1157611585，微信号:87680558.
2021-3-12APT60GF120JRDQ3
制造商零件编号 APT60GF120JRDQ3 Manufacturer Or OEM Microsemi Corporation 描述 IGBT 1200V 149A 625W SOT227 说明 IGBT Module NPT 单路 1200V 149A 625W 底座安装 ISOTOP? 对无铅/(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 湿气敏感性等级（MSL） 1（无限） 最低订购数量 1 标准包装 1
2020-12-11APT50M60JVR 假一罚十
进口原装正品 ，欢迎咨询。
2020-6-29APT8020JFLL
APT8020JFLL，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2019-3-5
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