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APT6015B2VFR	iscN-ChannelMOSFETTransistor 文件：420.21 Kbytes Page：2 Pages	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
APT6015B2VR	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=38A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.15Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
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更新时间：2024-4-29 21:56:00

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制造商零件编号APT60GF120JRDQ3 ManufacturerOrOEMMicrosemiCorporation 描述IGBT1200V149A625WSOT227 说明IGBTModuleNPT单路1200V149A625W底座安装ISOTOP? 对无铅/(RoHS)规范的达标情况无铅/符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求湿气敏感性等级（MSL）1（无限）最低订购数量1 标准包装1
2020-12-11
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2020-7-20
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2020-6-29
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2019-3-5