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APT50M80B2VRG	MOSFET Power MOSFET - MOS5	Microchip 微芯科技	Microchip
APT50M80B2LC	Power MOS VITM is a new generation of low gate charge, high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. POWER MOS VI™ Power MOS VITM is a new generation of low gate charge, high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. Lower gate charge is achieved by optimizing the manufacturing process to minimize Ciss and Crss. Lower gate charge coupled with Power MOS VITM optimized gate layout, deliver	ADPOW	ADPOW
APT50M80B2VFR	Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. Power MOS V® is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect, increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V® also achieves faster switching speeds through optimized gate layout. • Identical Specific	ADPOW	ADPOW
APT50M80B2VFR	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：420.23 Kbytes Page：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
APT50M80B2VFR	POWER MOS V 文件：97.37 Kbytes Page：4 Pages	ADPOW	ADPOW
APT50M80B2VR	POWER MOS V 文件：95.91 Kbytes Page：4 Pages	ADPOW	ADPOW

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更新时间：2025-10-7 22:18:00

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APTD3216LVBC/D
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2023-12-26
APT32F101H6S6
APT32F101H6S6，全新原装现货0755-82732291当天发货或门市自取. QQ：1755232575 /QQ：1157611585，微信号:87680558.
2021-3-12
APT60GF120JRDQ3
制造商零件编号 APT60GF120JRDQ3 Manufacturer Or OEM Microsemi Corporation 描述 IGBT 1200V 149A 625W SOT227 说明 IGBT Module NPT 单路 1200V 149A 625W 底座安装 ISOTOP? 对无铅/(RoHS)规范的达标情况无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）最低订购数量 1 标准包装 1
2020-12-11
APT30DQ60BG 原装优势
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2020-7-20
APT50M60JVR 假一罚十
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2020-6-29
APT8020JFLL
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2019-3-5