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isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current –ID= 5A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS= 1200V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 3.8Ω(Max)@VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC co

ISC

无锡固电

N-Channel MOSFET

文件:254.01 Kbytes Page:4 Pages

Microsemi

美高森美

更新时间:2025-12-27 14:31:01
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Microch
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