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型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
APT4F120K

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current –ID= 4A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS= 1200V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 4.2Ω(Max)@VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC co

ISC

无锡固电

APT4F120K

FREDFETs

ROHS

MICROCHIP

微芯科技

APT4F120K

N-Channel FREDFET 1200V, 4A, 4.60廓 Max,

文件:188.75 Kbytes Page:4 Pages

MICROSEMI

美高森美

APT4F120K

1200V, 4A, 4.2廓 Max Trr ??95nS

文件:204.45 Kbytes Page:4 Pages

MICROSEMI

美高森美

1200V, 4A, 4.2廓 Max Trr ??95nS

文件:204.45 Kbytes Page:4 Pages

MICROSEMI

美高森美

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES · Drain Current -ID= 4A@ TC=25℃ · Drain Source Voltage -VDSS= 1200V(Min) · Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 4.2Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION · Motor drive, · Half Bridge · PFC and Other Boost Converter · Buck Converterh

ISC

无锡固电

Stellaris짰 LM4F120 LaunchPad Evaluation Board

文件:540.59 Kbytes Page:28 Pages

TI

德州仪器

APT4F120K产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    APT4F120K

  • 功能描述

    MOSFET N-CH 1200V 4A TO-220

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列

    -

  • 标准包装

    1,000

  • 系列

    MESH OVERLAY™ FET

  • MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss)

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大)

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大

    40W

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装

    TO-220FP

  • 包装

    管件

更新时间:2026-5-13 23:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Microchip Technology / Atmel
25+
TO-220-3
6895
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐
Microchip Technology / Atmel
25+
TO-220-3
6843
样件支持,可原厂排单订货!
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20+
NA
33560
原装优势主营型号-可开原型号增税票
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TO-220
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MICROSEMI/美高森美
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绝对原装正品全新进口深圳现货
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原装现货,可开13%税票
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24+
TO-220-3
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NEXPERIA/安世
23+
SOD123W
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