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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
APT30GN60BDQ2G | Resonant Mode Combi IGBT 文件：159.31 Kbytes Page：9 Pages | MICROSEMI 美高森美 |   | |
APT30GN60BDQ2G | Power Semiconductors Power Modules RF Power MOSFETs 文件：9.86083 Mbytes Page：44 Pages | MICROSEMI 美高森美 | | |
APT30GN60BDQ2G | Power Semiconductors Power Modules 文件：2.83336 Mbytes Page：44 Pages | MICROSEMI 美高森美 | | |
APT30GN60BDQ2G | IGBT 文件：429.11 Kbytes Page：9 Pages | ADPOW | | |
APT30GN60BDQ2G | 封装/外壳：TO-247-3 包装：卷带（TR） 描述：IGBT 600V 63A 203W TO247 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 | MICROCHIP 微芯科技 | | |
APT30GN60BDQ2G | IGBT w/ anti-parallel diode | MICROCHIP 微芯科技 | | |
Resonant Mode Combi IGBT 文件：159.31 Kbytes Page：9 Pages | MICROSEMI 美高森美 | | ||
IGBT 文件：429.11 Kbytes Page：9 Pages | ADPOW | |
APT30GN60BDQ2G产品属性
- 类型
描述
- 型号
APT30GN60BDQ2G
- 功能描述
IGBT 600V 63A 203W TO247
- RoHS
是
- 类别
分离式半导体产品 >> IGBT - 单路
- 系列
-
- 标准包装
30
- 系列
GenX3™ IGBT
- 类型
PT 电压 -
- 集电极发射极击穿（最大）
1200V Vge,
- Ic时的最大Vce（开）
3V @ 15V，100A 电流 -
- 集电极(Ic)（最大）
200A 功率 -
- 最大
830W
- 输入类型
标准
- 安装类型
通孔
- 封装/外壳
TO-247-3
- 供应商设备封装
PLUS247?-3
- 包装
管件
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
APT |
24+ |
320 |
现货供应 |
||||
Microch |
20+ |
NA |
33560 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
|||
MICROSEMI |
22+ |
TO-247 |
20000 |
公司只做原装 品质保障 |
|||
APT |
23+ |
TO-220 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
APT |
26+ |
模块 |
3562 |
代理全系列销售, 全新原装正品,价格优势,长期供应,量大可订 |
|||
APT |
23+ |
模块 |
420 |
全新原装正品,量大可订货!可开17%增值票!价格优势! |
|||
APT |
24+ |
28 |
|||||
APT |
22+ |
原厂原封 |
8200 |
原装现货库存.价格优势!! |
|||
APT |
23+ |
TO-59 |
8510 |
原装正品代理渠道价格优势 |
|||
APT |
23+ |
5000 |
原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详 |
APT30GN60BDQ2G规格书下载地址
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2020-2-23
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