型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
APT200GN60JG

封装/外壳:ISOTOP 包装:托盘 描述:IGBT MOD 600V 283A 682W ISOTOP 分立半导体产品 晶体管 - IGBT - 模块

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Power Semiconductors Power Modules RF Power MOSFETs

POWER MOS 7® MOSFET Power MOS 7® is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode power MOSFETS. Both conduction and switching losses are addressed with Power MOS 7® by significantly lowering RDS(ON) and Qg. Power MOS 7® combines lower conduction and switching losses alon

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Intergrated Gate Resistor: Low EMI, High Reliability

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Power Semiconductors Power Modules

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APT200GN60JG产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    APT200GN60JG

  • 功能描述

    IGBT 600V 283A 682W SOT227

  • RoHS

  • 类别

    半导体模块 >> IGBT

  • 系列

    -

  • 标准包装

    10

  • 系列

    GenX3™ IGBT

  • 类型

    PT

  • 配置

    单一 电压 -

  • 集电极发射极击穿(最大)

    600V Vge,

  • Ic时的最大Vce(开)

    1.4V @ 15V,100A 电流 -

  • 集电极(Ic)(最大)

    430A 电流 -

  • 集电极截止(最大)

    100µA Vce

  • 时的输入电容(Cies)

    31nF @ 25V 功率 -

  • 最大

    1000W

  • 输入

    标准 NTC

  • 热敏电阻

  • 安装类型

    底座安装

  • 封装/外壳

    SOT-227-4,miniBLOC

  • 供应商设备封装

    SOT-227B

更新时间:2025-12-1 15:13:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Microsemi Corporation
23+
标准封装
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全新原装正品现货直销
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