APT200GN60J价格

参考价格:¥149.9262

型号:APT200GN60J 品牌:Microsemi 备注:这里有APT200GN60J多少钱,2026年最近7天走势,今日出价,今日竞价,APT200GN60J批发/采购报价,APT200GN60J行情走势销售排行榜,APT200GN60J报价。
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APT200GN60J

Power Semiconductors Power Modules RF Power MOSFETs

POWER MOS 7® MOSFET Power MOS 7® is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode power MOSFETS. Both conduction and switching losses are addressed with Power MOS 7® by significantly lowering RDS(ON) and Qg. Power MOS 7® combines lower conduction and switching losses alon

MICROSEMI

美高森美

APT200GN60J

封装/外壳:ISOTOP 包装:管件 描述:IGBT MOD 600V 283A 682W ISOTOP 分立半导体产品 晶体管 - IGBT - 模块

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微芯科技

APT200GN60J

Intergrated Gate Resistor: Low EMI, High Reliability

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ADPOW

APT200GN60J

Power Semiconductors Power Modules RF Power MOSFETs

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MICROSEMI

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APT200GN60J

IGBT w/o anti-parallel diode

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微芯科技

APT200GN60J

Power Semiconductors Power Modules

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MICROSEMI

美高森美

IGBT w/ anti-parallel diode

MICROCHIP

微芯科技

Power Semiconductors Power Modules RF Power MOSFETs

文件:9.86083 Mbytes Page:44 Pages

MICROSEMI

美高森美

IGBT

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Power Semiconductors Power Modules

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封装/外壳:ISOTOP 包装:托盘 描述:IGBT MOD 600V 283A 682W ISOTOP 分立半导体产品 晶体管 - IGBT - 模块

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APT200GN60J产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    APT200GN60J

  • 功能描述

    IGBT 600V 283A 682W SOT227

  • RoHS

  • 类别

    半导体模块 >> IGBT

  • 系列

    -

  • 标准包装

    10

  • 系列

    GenX3™ IGBT

  • 类型

    PT

  • 配置

    单一 电压 -

  • 集电极发射极击穿(最大)

    600V Vge,

  • Ic时的最大Vce(开)

    1.4V @ 15V,100A 电流 -

  • 集电极(Ic)(最大)

    430A 电流 -

  • 集电极截止(最大)

    100µA Vce

  • 时的输入电容(Cies)

    31nF @ 25V 功率 -

  • 最大

    1000W

  • 输入

    标准 NTC

  • 热敏电阻

  • 安装类型

    底座安装

  • 封装/外壳

    SOT-227-4,miniBLOC

  • 供应商设备封装

    SOT-227B

更新时间:2026-3-1 20:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Microchip Technology / Atmel
25+
SOT-227-4
6895
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐
Microchip Technology
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Module
1262
原厂原装正品现货,代理渠道,支持订货!!!
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158A/600V/IG
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主打螺丝模块系列
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20000
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标准封装
2000
全新原装正品现货直销

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