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APT15GN120BDQ1G价格
参考价格：￥28.1987
型号：APT15GN120BDQ1G 品牌：Microsemi 备注：这里有APT15GN120BDQ1G多少钱，2026年最近7天走势，今日出价，今日竞价，APT15GN120BDQ1G批发/采购报价，APT15GN120BDQ1G行情走势销售排行榜，APT15GN120BDQ1G报价。| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
APT15GN120BDQ1G | High Speed PT IGBT Utilizing the latest Field Stop and Trench Gate technologies, these IGBTs have ultra low VCE(ON) and are ideal for low frequency applications that require absolute minimum conduction loss. Easy paralleling is a result of very tight parameter distribution and a slightly positive VCE(ON) temperature | MICROSEMI 美高森美 |   | |
APT15GN120BDQ1G | ULTRAFAST SOFT RECOVERY RECTIFIER DIODE Utilizing the latest Field Stop and Trench Gate technologies, these IGBTs have ultra low VCE(ON) and are ideal for low frequency applications that require absolute minimum conduction loss. Easy paralleling is a result of very tight parameter distribution and a slightly positive VCE(ON) temperature | ADPOW | | |
APT15GN120BDQ1G | Power Semiconductors Power Modules RF Power MOSFETs 文件：9.86083 Mbytes Page：44 Pages | MICROSEMI 美高森美 | | |
APT15GN120BDQ1G | Power Semiconductors Power Modules 文件：2.83336 Mbytes Page：44 Pages | MICROSEMI 美高森美 | | |
APT15GN120BDQ1G | 封装/外壳：TO-247-3 包装：管件 描述：IGBT 1200V 45A 195W TO247 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 | MICROCHIP 微芯科技 | | |
APT15GN120BDQ1G | IGBT w/ anti-parallel diode | MICROCHIP 微芯科技 | | |
ULTRAFAST SOFT RECOVERY RECTIFIER DIODE Utilizing the latest Field Stop and Trench Gate technologies, these IGBTs have ultra low VCE(ON) and are ideal for low frequency applications that require absolute minimum conduction loss. Easy paralleling is a result of very tight parameter distribution and a slightly positive VCE(ON) temperature | ADPOW | | ||
High Speed PT IGBT Utilizing the latest Field Stop and Trench Gate technologies, these IGBTs have ultra low VCE(ON) and are ideal for low frequency applications that require absolute minimum conduction loss. Easy paralleling is a result of very tight parameter distribution and a slightly positive VCE(ON) temperature | MICROSEMI 美高森美 | |
APT15GN120BDQ1G产品属性
- 类型
描述
- 型号
APT15GN120BDQ1G
- 功能描述
IGBT 1200V 45A 195W TO247
- RoHS
是
- 类别
分离式半导体产品 >> IGBT - 单路
- 系列
-
- 标准包装
30
- 系列
GenX3™ IGBT
- 类型
PT 电压 -
- 集电极发射极击穿（最大）
1200V Vge,
- Ic时的最大Vce（开）
3V @ 15V，100A 电流 -
- 集电极(Ic)（最大）
200A 功率 -
- 最大
830W
- 输入类型
标准
- 安装类型
通孔
- 封装/外壳
TO-247-3
- 供应商设备封装
PLUS247?-3
- 包装
管件
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
APT |
24+ |
NA |
990000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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APT |
24+ |
8866 |
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APT |
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原厂原封 |
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Microsemi |
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原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
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TO-220K |
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原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详 |
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APT |
13+ |
TO247 |
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原装 |
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N/A |
64000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
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