APT11N80KC3G价格

参考价格:¥19.0667

型号:APT11N80KC3G 品牌:Microsemi 备注:这里有APT11N80KC3G多少钱,2026年最近7天走势,今日出价,今日竞价,APT11N80KC3G批发/采购报价,APT11N80KC3G行情走势销售排行榜,APT11N80KC3G报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
APT11N80KC3G

Super Junction MOSFET

文件:175.99 Kbytes Page:5 Pages

MICROSEMI

美高森美

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID= 11A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 800V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.45Ω(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-

ISC

无锡固电

Super Junction MOSFET

文件:162.4 Kbytes Page:5 Pages

ADPOW

Super Junction MOSFET

文件:175.99 Kbytes Page:5 Pages

MICROSEMI

美高森美

APT11N80KC3G产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    APT11N80KC3G

  • 功能描述

    MOSFET N-CH 800V 11A TO-220

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列

    CoolMOS™

  • 标准包装

    1,000

  • 系列

    MESH OVERLAY™ FET

  • MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss)

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大)

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大

    40W

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装

    TO-220FP

  • 包装

    管件

更新时间:2026-1-27 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Microchip Technology / Atmel
25+
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