APT11N80BC3G价格

参考价格:¥19.7471

型号:APT11N80BC3G 品牌:Microsemi 备注:这里有APT11N80BC3G多少钱,2024年最近7天走势,今日出价,今日竞价,APT11N80BC3G批发/采购报价,APT11N80BC3G行情走势销售排行榜,APT11N80BC3G报价。
型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
APT11N80BC3G

iscN-ChannelMOSFETTransistor

文件:420.73 Kbytes Page:2 Pages

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=11A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=800V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.45Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

SuperJunctionMOSFET

文件:162.57 Kbytes Page:5 Pages

ADPOW

Advanced Power Technology

ADPOW

APT11N80BC3G产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    APT11N80BC3G

  • 功能描述

    MOSFET N-CH 800V 11A TO-247

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列

    -

  • 标准包装

    1,000

  • 系列

    MESH OVERLAY™ FET

  • MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss)

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大)

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大

    40W

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装

    TO-220FP

  • 包装

    管件

更新时间:2024-5-8 16:36:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Microsemi Corporation
21+
TO2473
13880
公司只售原装,支持实单
APT
08+(pbfree)
8866
APT
23+
TO-247B
6000
原装正品,支持实单
Microsemi
23+
MOSFET
7750
全新原装优势
MICROSEMI-美高森美
24+25+/26+27+
TO-247-3
6328
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库
APT
22+
原厂原封
8200
原装现货库存.价格优势!!
APTMICROSEMI
23+
TO-247B
90000
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持
MICROCHIP
22+
20000
原厂微芯渠道.全新原装!
ADPOW
23+
原厂原包
19960
只做进口原装 终端工厂免费送样
Microsemi Corporation
22+
TO2473
9000
原厂渠道,现货配单

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