APT100GT120JR价格

参考价格:¥243.0256

型号:APT100GT120JRDQ4 品牌:Microsemi 备注:这里有APT100GT120JR多少钱,2026年最近7天走势,今日出价,今日竞价,APT100GT120JR批发/采购报价,APT100GT120JR行情走势销售排行榜,APT100GT120JR报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
APT100GT120JR

Thunderbolt IGBT

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MICROSEMI

美高森美

APT100GT120JR

Power Semiconductors Power Modules

文件:2.83336 Mbytes Page:44 Pages

MICROSEMI

美高森美

APT100GT120JR

封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC 包装:散装 描述:IGBT MOD 1200V 123A 570W ISOTOP 分立半导体产品 晶体管 - IGBT - 模块

MICROCHIP

微芯科技

APT100GT120JR

IGBT w/o anti-parallel diode

MICROCHIP

微芯科技

Resonant Mode IGBT

文件:234.46 Kbytes Page:9 Pages

MICROSEMI

美高森美

NPT IGBT & Trench IGBT

MICROCHIP

微芯科技

Thunderbolt IGBT

文件:993.93 Kbytes Page:9 Pages

MICROSEMI

美高森美

Power Semiconductors Power Modules

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MICROSEMI

美高森美

NPT IGBT & Trench IGBT

MICROCHIP

微芯科技

封装/外壳:ISOTOP 包装:管件 描述:IGBT MOD 1200V 123A 570W ISOTOP 分立半导体产品 晶体管 - IGBT - 模块

MICROCHIP

微芯科技

APT100GT120JR产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    APT100GT120JR

  • 功能描述

    IGBT 1200V 123A 570W SOT227

  • RoHS

  • 类别

    半导体模块 >> IGBT

  • 系列

    Thunderbolt IGBT®

  • 标准包装

    10

  • 系列

    GenX3™ IGBT

  • 类型

    PT

  • 配置

    单一 电压 -

  • 集电极发射极击穿(最大)

    600V Vge,

  • Ic时的最大Vce(开)

    1.4V @ 15V,100A 电流 -

  • 集电极(Ic)(最大)

    430A 电流 -

  • 集电极截止(最大)

    100µA Vce

  • 时的输入电容(Cies)

    31nF @ 25V 功率 -

  • 最大

    1000W

  • 输入

    标准 NTC

  • 热敏电阻

  • 安装类型

    底座安装

  • 封装/外壳

    SOT-227-4,miniBLOC

  • 供应商设备封装

    SOT-227B

更新时间:2026-1-27 15:54:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Microchip Technology
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Module
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专营模块,继电器,公司原装现货
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