型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
APT10090SLLG

N-Channel MOSFET

MICROCHIP

微芯科技

Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode power MOSFETS.

Power MOS 7® is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode power MOSFETS. Both conduction and switching losses are addressed with Power MOS 7® by significantly lowering RDS(ON) and Qg. Power MOS 7® combines lower conduction and switching losses along with exceptionally

ADPOW

N/A POWER CORD; 230cm LONG NEMA 5-15P TO IEC 60320 C5

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POWERDYNAMICS

Pressure gauge

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FESTOFesto Corporation.

费斯托费斯托(中国)有限公司

Nylon PCB Supports - Imperial Spacing

文件:126.42 Kbytes Page:1 Pages

HEYCO

Hoods for USB-Assembly, Type A, Male

文件:176.77 Kbytes Page:1 Pages

ASSMANNAssmann Electronics Inc.

阿斯曼电子

APT10090SLLG产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    APT10090SLLG

  • 功能描述

    MOSFET N-CH 1000V 12A D3PAK

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列

    POWER MOS 7®

  • 标准包装

    1,000

  • 系列

    MESH OVERLAY™ FET

  • MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss)

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大)

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大

    40W

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装

    TO-220FP

  • 包装

    管件

更新时间:2026-1-27 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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