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N?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

Product Summary: BVDSS 200V RDSON (MAX.) 120mΩ ID 18A UIS, 100 Tested Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free

EXCELLIANCE

杰力科技

Drain Current ID= 2A@ TC=25C

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ISC

无锡固电

N‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

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EXCELLIANCE

杰力科技

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

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HMSEMI

华之美半导体

200V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

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HMSEMI

华之美半导体

更新时间:2025-12-16 23:01:01
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