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N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES 100V 278A, RDS(ON) typ = 1.8mW @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. TO-247 package. RoHS compliant.

CET-MOS

华瑞

Trench Power MOSFET Very low RDS(on)

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IXYS

艾赛斯

更新时间:2025-12-16 20:00:01
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