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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Features: ● Low Gate Charge for Fast Switching Application ● Low RDS(ON) to Minimize Conductive Loss ● 100% EAS Guaranteed ● Optimized V(BR)DSS Ruggedness ● Lead-Free,RoHS Compliant Description: The ADM20N10E uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with | ADV 爱德微 |   | ||
Fast Switching 文件：67.84 Kbytes Page：2 Pages | ISC 无锡固电 | | ||
N-Channel 100-V (D-S) MOSFET 文件：773.53 Kbytes Page：6 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | | ||
N-Channel Power MOSFET 文件：1.33991 Mbytes Page：5 Pages | JIANGSU 长电科技 | | ||
20 Amps, 95Volts N-CHANNEL Power MOSFET 文件：472.48 Kbytes Page：6 Pages | CHONGQING 平伟实业 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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特点： •精确的参考电压2.500V •保证0.5％或1％基准电压公差 •灌电流能力，为1mA至100mA •快速开通 •可调输出电压VO= VREF到20V的 •低业务阴极电流，250μA典型 •0.1Ω典型输出阻抗 •采用SOT- 23，采用SOT- 89和TO- 92封装 一般描述： 该APL1431是一个三端可调电压基准规定在适用与热稳定性
2018-12-19
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