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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg and UIS Tested • Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU APPLICATIONS • OR-ing • Server • DC/DC | VBSEMI 微碧半导体 |   | ||
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Features: ● Low Gate Charge for Fast Switching Application ● Low RDS(ON) to Minimize Conductive Loss ● 100% EAS Guaranteed ● Optimized V(BR)DSS Ruggedness ● Green Device Available Description: The ADM80N03Z uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with l | ADV 爱德微 | | ||
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：1.00146 Mbytes Page：7 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | | ||
Fast Switching Characteristic 文件：82.72 Kbytes Page：7 Pages | A-POWER 富鼎先进电子 | | ||
Fast Switching Characteristic 文件：82.72 Kbytes Page：7 Pages | A-POWER 富鼎先进电子 | |
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特点： •精确的参考电压2.500V •保证0.5％或1％基准电压公差 •灌电流能力，为1mA至100mA •快速开通 •可调输出电压VO= VREF到20V的 •低业务阴极电流，250μA典型 •0.1Ω典型输出阻抗 •采用SOT- 23，采用SOT- 89和TO- 92封装 一般描述： 该APL1431是一个三端可调电压基准规定在适用与热稳定性
2018-12-19
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