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N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES 100V 278A, RDS(ON) typ = 1.8mW @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. TO-247 package. RoHS compliant.

CET-MOS

华瑞

Trench Power MOSFET Very low RDS(on)

文件:117.65 Kbytes Page:2 Pages

IXYS

艾赛斯

更新时间:2025-12-17 12:00:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
CET/華瑞
2511
P-PAK5X6
360000
电子元器件采购降本30%!原厂直采,砍掉中间差价
GOLDTRAI
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