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P -CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

● General Description The TFD190P03M combines advanced trench MOSFET technology with a low resistance package to provideextremely low RDS(ON). Two P Channel MOSFET inside for dual DIE implication. ● Features Advance high cell densityTrench technology Low RDS(ON) to minimize conductive loss

TUOFENG

拓锋半导体

更新时间:2025-12-16 20:00:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
VISHAY/威世
25+
SMD
65428
百分百原装现货 实单必成
VISHAY/威世
24+
SMD
880000
明嘉莱只做原装正品现货
ST
2511
原厂原封
16900
电子元器件采购降本30%!原厂直采,砍掉中间差价
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NA
60000
只有原装 可配单
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