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丝印代码:AP70N03DF;30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

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LEIDITECH

雷卯电子

丝印代码:AP70N03NF;30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

文件:5.06266 Mbytes Page:5 Pages

LEIDITECH

雷卯电子

30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features - VDS = 30V ID =70A - RDS(ON)

APME

永源微电子

30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features - VDS = 30V ID =70A - RDS(ON)

APME

永源微电子

30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

AP70N03NF采用先进的沟道技术,提供出色的RDS(ON),低栅极电荷和栅极电压低至1.8V的操作。该器件适用于负载开关或PWM应用。 VDS = 30V,ID = 100A \nRDS(ON)<3.2m\nΩ@ V GS = -2.5V RDS(ON)<5.5m\nΩ@ V GS = -4.5V 高功率和电流处理能力\n无铅产品\nDFN5*6表贴封装;

APM

30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

APM

N-Channel Enhancement-Mode MOSFET

Features • Advanced Trench Process Technology • High Density Cell Design for Ultra Low On-Resistance • Specially Designed for Low Voltage DC/DC Converters • Fast Switching for High Efficiency

GE

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

文件:453.02 Kbytes Page:5 Pages

ANACHIP

易亨电子

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

文件:453.02 Kbytes Page:5 Pages

ANACHIP

易亨电子

N-Channel Enhancement-Mode MOSFET

文件:92.95 Kbytes Page:5 Pages

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

70A, 30V, 0.010 Ohm, N-Channel Power MOSFETs

文件:142.9 Kbytes Page:16 Pages

INTERSIL

更新时间:2026-5-24 22:17:00
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