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AP50P03DF

-30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

APM

P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES -30V, -47A, RDS(ON) =20mW @VGS = -10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. TO-220 & TO-263 package. RDS(ON) =32mW @VGS = -4.5V. Lead free product is acquired.

CET-MOS

华瑞

P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES ■ -30V, -47A, RDS(ON) =20mΩ @VGS = -10V. RDS(ON) =32mΩ @VGS = -4.5V. ■ Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). ■ High power and current handing capability. ■ Lead free product is acquired. ■ TO-220 & TO-263 package.

CET

华瑞

P-Channel 30 V (D-S) MOSFET

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VBSEMI

微碧半导体

P-Channel 30 V (D-S) MOSFET

文件:1.02287 Mbytes Page:8 Pages

VBSEMI

微碧半导体

P-Channel 30-V (D-S) MOSFET

文件:967.38 Kbytes Page:8 Pages

VBSEMI

微碧半导体

更新时间:2025-12-25 17:52:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
22+
PDFN33-8L
20000
只做原装
APM
25+
PDFN3*3-8L
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PDFN3*3-8L
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