MOSFET场效应管

通用MOS

POWER MOSFETS

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

Description The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The SO-8 package is universally preferred for all commercial-industrial surface mount applications and suited for

封装/外壳：20-UFBGA，WLCSP 包装：卷带（TR） 描述：IC SUPERVISOR 2 CHANNEL 20WLCSP 集成电路（IC） 监控器

Simple Drive Requirement, Low On-resistance

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Simple Drive Requirement

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Ultra Low Power Dual Voltage Detector

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封装/外壳：20-UFBGA，WLCSP 包装：卷带（TR） 描述：IC SUPERVISOR 2 CHANNEL 20WLCSP 集成电路（IC） 监控器

Low On-Resistance, Fast Switching

文件：208.24 Kbytes Page：5 Pages

Simple Drive Requirement

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Simple Drive Requirement

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N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

N-Channel 20V (D-S) MOSFET

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N-Channel Enhancement Mode MOSFET

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HEYConnect™ Terminal Bushings

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N-Channel 20V (D-S) MOSFET

文件：1.00712 Mbytes Page：9 Pages