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AP38N10D

100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

APM

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

Features • Ultrafast rectifier in parallel with the body diode (MSAE type only) • Rugged polysilicon gate cell structure • Increased Unclamped Inductive Switching (UIS) capability • Hermetically sealed, surface mount power package • Low package inductance • Very low thermal resistance • Rev

Microsemi

美高森美

更新时间:2025-12-25 18:10:00
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