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型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
AP30P10GI

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

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A-POWER

富鼎先进电子

AP30P10GI

Power MOSFETs

APEC

富鼎先进

Simple Drive Requirement

文件:157.56 Kbytes Page:5 Pages

A-POWER

富鼎先进电子

Fast Switching Characteristic

文件:104.18 Kbytes Page:5 Pages

A-POWER

富鼎先进电子

P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES ■ -100V, -30A, RDS(ON) = 76mΩ @VGS = -10V. RDS(ON) = 92mΩ @VGS = -4.5V. ■ Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). ■ High power and current handing capability. ■ Lead free product is acquired. ■ TO-251 & TO-252 package.

CET

华瑞

P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES ■ -100V, -30A, RDS(ON) = 76mΩ @VGS = -10V. RDS(ON) = 92mΩ @VGS = -4.5V. ■ Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). ■ High power and current handing capability. ■ Lead free product is acquired. ■ TO-251 & TO-252 package.

CET

华瑞

P-Channel 100 V (D-S) MOSFET

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VBSEMI

微碧半导体

P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

文件:1.43344 Mbytes Page:6 Pages

SKTECHNOLGYSHIKE Electronics

时科广东时科微实业有限公司

丝印代码:YJP30P10A;P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

文件:739.45 Kbytes Page:6 Pages

YANGJIE

扬杰电子

AP30P10GI产品属性

  • 类型

    描述

  • Configuration:

    Single

  • Type:

    P

  • VDS (V):

    -100

  • VGS (±V):

    20

  • RDS(ON) (mΩ max)/10V:

    80

  • RDS(ON) (mΩ max)/4.5V:

    100

  • Ciss (pF):

    2580/4130

  • Qg (nC):

    50/80

更新时间:2026-5-14 17:35:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
APEC
2018+
TO220
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52000
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专注配单,只做原装进口现货
AP
09+
TO-220F
1100
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力

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