| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
N -CHANNEL ENHANCEMENT MODE LOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTOR DESCRIPTION The UTC 15N06 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with low gate voltages. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. FEATURES * RDS(ON) | UTC 友顺 |   | ||
15A, 60V N-CHANNEL POWER MOSFET 文件：245.73 Kbytes Page：6 Pages | UTC 友顺 | | ||
Fast Switching 文件：67.34 Kbytes Page：2 Pages | ISC 无锡固电 | | ||
N-Channel 60 V (D-S) MOSFET 文件：1.00223 Mbytes Page：8 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | | ||
60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET 文件：153.75 Kbytes Page：4 Pages | PANJIT 強茂 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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UTC |
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2012-11-22
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