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AP10N25D

丝印代码:AP10N25D;250V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features - VDS = 250V ID =10A - RDS(ON)

APME

永源微电子

HIGH QUALITY AUDIO AMPLIFIER APPLICATIONS

[Profusion] 250V N/P LATERAL MOSFETS HIGH POWER 25W HIGH QUALITY AUDIO AMPLIFIER APPLICATIONS

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 10A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 250V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.45Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

ISC

无锡固电

POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR

Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement Mode silicon Gate TMOS POWER FET 10 AMPERES RDS(on) = 0.45 OHM 250 VOLTS

MOTOROLA

摩托罗拉

Dual N-Channel 3 0-V (D-S) MOSFET

文件:965.21 Kbytes Page:8 Pages

VBSEMI

微碧半导体

Super high dense cell design for low RDS(ON).

文件:134.04 Kbytes Page:10 Pages

SAMHOP

三合微科

更新时间:2026-5-19 8:50:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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    2013-2-2