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STUD10N25

Super high dense cell design for low RDS(ON).

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Samhop

三合微科

HIGH QUALITY AUDIO AMPLIFIER APPLICATIONS

[Profusion] 250V N/P LATERAL MOSFETS HIGH POWER 25W HIGH QUALITY AUDIO AMPLIFIER APPLICATIONS

ETC1List of Unclassifed Manufacturers

etc未分类制造商未分类制造商

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 10A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 250V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.45Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

ISC

无锡固电

POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR

Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement Mode silicon Gate TMOS POWER FET 10 AMPERES RDS(on) = 0.45 OHM 250 VOLTS

Motorola

摩托罗拉

Dual N-Channel 3 0-V (D-S) MOSFET

文件:965.21 Kbytes Page:8 Pages

VBSEMI

微碧半导体

更新时间:2025-8-16 16:26:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
JST/日压
2508+
/
320680
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STUGCB-32.768MHZ
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原装现货假一罚十

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