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STUD10N25

SuperhighdensecelldesignforlowRDS(ON).

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SamhopSamHop Microelectronics Corp.

三合微科三合微科股份有限公司

Samhop

HIGHQUALITYAUDIOAMPLIFIERAPPLICATIONS

[Profusion] 250VN/PLATERALMOSFETS HIGHPOWER25WHIGHQUALITYAUDIOAMPLIFIERAPPLICATIONS

ETC1List of Unclassifed Manufacturers

etc未分类制造商未分类制造商

ETC1

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=10A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=250V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.45Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

POWERFIELDEFFECTTRANSISTOR

PowerFieldEffectTransistor N-ChannelEnhancementModesiliconGate TMOSPOWERFET10AMPERESRDS(on)=0.45OHM250VOLTS

MotorolaMotorola, Inc

摩托罗拉

Motorola

DualN-Channel30-V(D-S)MOSFET

文件:965.21 Kbytes Page:8 Pages

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI
更新时间:2024-9-24 18:16:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
EIC
SMC
87000
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货
EIC
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SMC
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STUGCB-32.768MHZ
985
985
EIC
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DIP6
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QFP
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NA
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