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位置：首页 > IC中文资料 > AP02

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
NCEAP020N10LL

丝印代码：AP020N10LL；NCE Automotive N-Channel Super Trench II Power MOSFET

Description The series of devices uses Super Trench II technology that is uniquely optimized to provide the most efficient high frequency switching performance. Both conduction and switching power losses are minimized due to an extremely low combination of RDS(ON) and Qg. This device is ideal

NCEPOWER

新洁能

NCEAP020N60GU

丝印代码：AP020N60GU；NCE Automotive N-Channel Super Trench II Power MOSFET

Description The NCEAP020N60GU uses Super Trench II technology that is uniquely optimized to provide the most efficient high frequency switching performance. Both conduction and switching power losses are minimized due to an extremely low combination of RDS(ON) and Qg. This device is ideal for

NCEPOWER

新洁能

NCEAP020N85LL

丝印代码：AP020N85LL；NCE Automotive N-Channel Super Trench II Power MOSFET

Description The series of devices uses Super Trench II technology that is uniquely optimized to provide the most efficient high frequency switching performance. Both conduction and switching power losses are minimized due to an extremely low combination of RDS(ON) and Qg. This device is ideal

NCEPOWER

新洁能

NCEAP023N10LL

丝印代码：AP023N10LL；NCE Automotive N-Channel Super Trench II Power MOSFET

Description The series of devices uses Super Trench II technology that is uniquely optimized to provide the most efficient high frequency switching performance. Both conduction and switching power losses are minimized due to an extremely low combination of RDS(ON) and Qg. This device is ideal

NCEPOWER

新洁能

NCEAP025N60AG

丝印代码：AP025N60AG；NCE Automotive N-Channel Super Trench II Power MOSFET

Description The NCEAP025N60AG uses Super Trench II technology that is uniquely optimized to provide the most efficient high frequency switching performance. Both conduction and switching power losses are minimized due to an extremely low combination of RDS(ON) and Qg. This device is ideal for

NCEPOWER

新洁能

NCEAP026N10T

丝印代码：AP026N10T；NCE Automotive N-Channel Super Trench II Power MOSFET

Description The NCEAP026N10T uses Super Trench II technology that is uniquely optimized to provide the most efficient high frequency switching performance. Both conduction and switching power losses are minimized due to an extremely low combination of RDS(ON) and Qg. This device is ideal for

NCEPOWER

新洁能

NCEAP028N85D

丝印代码：AP028N85D；NCE Automotive N-Channel Super Trench II Power MOSFET

Description The NCEAP028N85D uses Super Trench II technology that is uniquely optimized to provide the most efficient high frequency switching performance. Both conduction and switching power losses are minimized due to an extremely low combination of RDS(ON) and Qg. This device is ideal for

NCEPOWER

新洁能

AP0200AT

图像信号处理器，2 MP

AP0200AT 是一款专用的汽车图像协处理器，能够实现使用安森美半导体百万像素高动态范围 (HDR) 传感器的灵活摄像头平台。传感器和协处理器的双芯片解决方案可实现多种摄像头价格和性能点，能够重用电路板设计，进入市场快，实现设计灵活性。传感器性能由于减少了一个单独协处理器芯片的发热而得以提高，同时可实现高性能功能。AP0200AT 提供以太网输出，最高可支持 2 百万像素传感器。 它包括一个空间传输引擎，最高可结合 1.2 MP 传感器使用，提供 185 度鱼眼镜头失真校正、透视校正，以及分割侧视、三联镜和拖车挂钩等多视角选项。此协处理器结合安森美半导体的 AR0230AT、AR0132AT • HDR\n• Ethernet;

ONSEMI

安森美半导体

AP0201AT

Image Signal Processor, 2 MP

AP0201AT is a dedicated automotive image co-processor that enables flexible camera platforms using high performance ON Semiconductor megapixel high dynamic range (HDR) sensors. The two-chip solution of sensor and co-processor allows for multiple camera price and performance points with re-use of cir • HDR\n• Ethernet;

ONSEMI

安森美半导体

AP020/021-1

包装：袋 描述：BNC ADAPTER FOR AP020/021 测试与计量 配件

TELEDYNE

华特力科

AP020/021-2

包装：盒 描述：GROUND BAYONET AP020/021 测试与计量 配件

TELEDYNE

华特力科

AP02001

SUGGESTED PAD LAYOUT

文件：174 Kbytes Page：12 Pages

DIODES

美台半导体

AP02001

SUGGESTED PAD LAYOUT

文件：188.29 Kbytes Page：14 Pages

DIODES

美台半导体

AP02001

SUGGESTED PAD LAYOUT

文件：404.18 Kbytes Page：27 Pages

DIODES

美台半导体

AP02001_1

SUGGESTED PAD LAYOUT

文件：188.29 Kbytes Page：14 Pages

DIODES

美台半导体

AP02001_12

SUGGESTED PAD LAYOUT

文件：404.18 Kbytes Page：27 Pages

DIODES

美台半导体

AP02002

PACKAGE OUTLINE DIMENSIONS

文件：1.15453 Mbytes Page：51 Pages

DIODES

美台半导体

AP02002

PACKAGE OUTLINE DIMENSIONS

文件：776.88 Kbytes Page：32 Pages

DIODES

美台半导体

AP02002

PACKAGE OUTLINE DIMENSIONS

文件：775.51 Kbytes Page：36 Pages

DIODES

美台半导体

AP02002

PACKAGE OUTLINE DIMENSIONS

DIODES

美台半导体

AP02002_1

PACKAGE OUTLINE DIMENSIONS

文件：775.51 Kbytes Page：36 Pages

DIODES

美台半导体

AP02002_12

PACKAGE OUTLINE DIMENSIONS

文件：1.15453 Mbytes Page：51 Pages

DIODES

美台半导体

AP0201AT

AP0201AT High-Dynamic Range (HDR) Image Signal Processor (ISP)

文件：473.35 Kbytes Page：31 Pages

ONSEMI

安森美半导体

AP0201AT2L00XEGA0-DR

AP0201AT High-Dynamic Range (HDR) Image Signal Processor (ISP)

文件：473.35 Kbytes Page：31 Pages

ONSEMI

安森美半导体

AP0201AT2L00XEGA0-TR

AP0201AT High-Dynamic Range (HDR) Image Signal Processor (ISP)

文件：473.35 Kbytes Page：31 Pages

ONSEMI

安森美半导体

AP0201AT2L00XEGAD3-GEVK

AP0201AT High-Dynamic Range (HDR) Image Signal Processor (ISP)

文件：473.35 Kbytes Page：31 Pages

ONSEMI

安森美半导体

AP0201AT2L00XEGAH3-GEVB

AP0201AT High-Dynamic Range (HDR) Image Signal Processor (ISP)

文件：473.35 Kbytes Page：31 Pages

ONSEMI

安森美半导体

AP0202AT

High-Dynamic Range Image Signal Processor

文件：1.7275 Mbytes Page：54 Pages

ONSEMI

安森美半导体

AP0203GMT-HF

Simple Drive Requirement SO-8 Compatible with Heatsink

文件：101.45 Kbytes Page：4 Pages

A-POWER

富鼎先进电子

AP0203GMT-HF_14

Simple Drive Requirement

文件：101.45 Kbytes Page：4 Pages

A-POWER

富鼎先进电子

AP0203GMT-HF_16

SO-8 Compatible with Heatsink

文件：102.71 Kbytes Page：5 Pages

A-POWER

富鼎先进电子

AP0203GMT-L

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

文件：71.73 Kbytes Page：5 Pages

A-POWER

富鼎先进电子

AP02N40H

Fast Switching Characteristic

文件：104.68 Kbytes Page：4 Pages

A-POWER

富鼎先进电子

AP02N40H/J

Fast Switching Characteristic

文件：104.68 Kbytes Page：4 Pages

A-POWER

富鼎先进电子

AP02N40H-HF

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

文件：103.64 Kbytes Page：4 Pages

A-POWER

富鼎先进电子

AP02N40H-HF_16

Fast Switching Characteristic

文件：62.96 Kbytes Page：5 Pages

A-POWER

富鼎先进电子

AP02N40H-J

Fast Switching Characteristic

文件：104.68 Kbytes Page：4 Pages

A-POWER

富鼎先进电子

AP02N40HSLASHJ

Fast Switching Characteristic

文件：104.68 Kbytes Page：4 Pages

A-POWER

富鼎先进电子

AP02N40I-HF

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

文件：99.04 Kbytes Page：4 Pages

A-POWER

富鼎先进电子

AP02N40J-HF

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

文件：103.64 Kbytes Page：4 Pages

A-POWER

富鼎先进电子

AP02N40K-HF

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

文件：100.54 Kbytes Page：4 Pages

A-POWER

富鼎先进电子

AP02N40P

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

文件：98.26 Kbytes Page：5 Pages

A-POWER

富鼎先进电子

AP02N60H

N-Channel 650 V (D-S) MOSFET

文件：1.0859 Mbytes Page：9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

AP02N60H

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

文件：61.91 Kbytes Page：4 Pages

A-POWER

富鼎先进电子

AP02N60H_08

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

文件：107.72 Kbytes Page：4 Pages

A-POWER

富鼎先进电子

AP02N60H-H

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

文件：252.12 Kbytes Page：6 Pages

A-POWER

富鼎先进电子

AP02N60H-H

N-Channel 650 V (D-S) MOSFET

文件：1.08592 Mbytes Page：9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

AP02N60H-HF

N-Channel 650 V (D-S) MOSFET

文件：1.08593 Mbytes Page：9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

AP02N60H-HF_14

Simple Drive Requirement

文件：105.75 Kbytes Page：4 Pages

A-POWER

富鼎先进电子

AP02N60H-H-HF

N-Channel 650 V (D-S) MOSFET

文件：1.08594 Mbytes Page：9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

AP02N60H-H-HF_14

Fast Switching Characteristic

文件：72.09 Kbytes Page：4 Pages

A-POWER

富鼎先进电子

AP02N60I

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

文件：86.36 Kbytes Page：6 Pages

A-POWER

富鼎先进电子

AP02N60I_08

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

文件：114.44 Kbytes Page：7 Pages

A-POWER

富鼎先进电子

AP02N60I_14

Simple Drive Requirement

文件：114.44 Kbytes Page：7 Pages

A-POWER

富鼎先进电子

AP02N60I-A-HF

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

文件：57.17 Kbytes Page：4 Pages

A-POWER

富鼎先进电子

AP02N60I-A-HF_14

Fast Switching Characteristic

文件：57.17 Kbytes Page：4 Pages

A-POWER

富鼎先进电子

AP02N60I-A-HF_16

Fast Switching Characteristic

文件：67.28 Kbytes Page：5 Pages

A-POWER

富鼎先进电子

AP02N60I-HF

Fast Switching Characteristic

文件：67.57 Kbytes Page：5 Pages

A-POWER

富鼎先进电子

AP02N60J

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

文件：61.91 Kbytes Page：4 Pages

A-POWER

富鼎先进电子

AP02N60J_08

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

文件：107.72 Kbytes Page：4 Pages

A-POWER

富鼎先进电子

AP02产品属性

  • 类型

    描述

  • Configuration：

    Single

  • Type：

    N

  • V DS (V)：

    30

  • V GS (V)：

    ±20

  • ID(A)_Tc=25 ℃：

    155

  • RDS(ON)(mΩ)max.at VGS=10V：

    2.2

  • RDS(ON)(mΩ)max.at VGS=4.5V：

    3.6

AP02供应商更多...

更新时间：2026-5-15 18:08:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市润联芯城科技有限公司
NCEFAT28-08G
FORESEE
22+
BGA
30000
只做原装正品
询价
深圳市富芯乐电子科技有限公司
NCEAP40P80K
NCE
24+
TO-252
12500
只做原装正品现货欢迎来电查询15919825718
询价
深圳市卓越微芯电子有限公司
NCEAP40T15AGU
NCE
25+
DFN5X6-8L
20000
原装正品价格优惠,志同道合共谋发展
询价
深圳市明嘉莱科技有限公司
NCEFBS98-16G
FORESEE/江波龙
25+
SMD
880000
明嘉莱只做原装正品现货
询价
深圳市芯皇电子有限公司
NCEB301G
NCE新洁能
22+
DFN5X6-8L
95000
专业配单,原装正品假一罚十,代理渠道价格优
询价
深圳市星辰微电科技有限公司
NCEB301G
NCE新洁能
25+
DFN5X6-8L
100000
新结能全线供应,支持终端生产
询价
深圳市恒科翔业电子有限公司
NCEB301G
NCE新洁能
25+
DFN5X6-8L
55000
原厂代理部份现货价优
询价
万三科技(深圳)有限公司
NCEFAT28-08G
FORESEE(江波龙)
25+
封装
500000
源自原厂成本,高价回收工厂呆滞
询价
深圳市河锋鑫科技有限公司
NCEFBS98-16G
FORESEE
2022+
30000
原厂代理 终端免费提供样品
询价
深圳市斌腾达科技有限公司
NCEB301G
NCE新洁能
21+
DFN5X6-8L
25000
进口原装!长期供应!绝对优势价格(诚信经营
询价

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  • AP1117E18L-13 原装正品现货出售

    AP1117E18L-13 制造商: Diodes Incorporated 产品种类: 低压差稳压器 RoHS: 详细信息 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: SOT-223-3 输出电压: 1.8 V 输出电流: 1 A

    2023-2-6

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    AP1117EG-13DIODES/美台7000019+SOT-223-3原盘原标 假一罚十优势现货价格最低给钱就卖

    2021-9-16

  • AO系列 CD系列到货

    AO系列 CD系列到货

    2021-7-26

  • AOZ8802ADI原装现货热卖

    AOZ8802ADIESD

    2021-2-3

  • AOZ8025DI

    AOZ8025DI,全新原装现货0755-82732291当天发货或门市自取.

    2021-1-12

  • AP1116-0.5A的低压差正可调或固定模式稳压器

    特点 •1.3V的满负荷电流最大压差 •快速瞬态响应 •输出电流限制 •内置热关断 •封装：采用SOT89 •良好的噪声抑制 •三端可调或固定1.5V/1.8伏/2.5伏/3.3/5.0V的 􀂄 应用 •PC周边 •通信 一般描述 AP1116是一种积极的可调或低压差固定模式调节器，最小输出为0.5

    2013-2-2

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