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位置：首页 > IC中文资料第12694页 > AOWF11N70

型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
AOWF11N70

700V,11AN-ChannelMOSFET

文件：305.46 Kbytes Page：5 Pages

AOSMDAlpha & Omega Semiconductors

万国半导体美国万国半导体

AOSMD
AOT11N70

700V,11AN-ChannelMOSFET

GeneralDescription TheAOT11N70&AOTF11N70havebeenfabricatedusinganadvancedhighvoltageMOSFETprocessthatisdesignedtodeliverhighlevelsofperformanceandrobustnessinpopularAC-DCapplications.ByprovidinglowRDS(on),CissandCrssalongwithguaranteedavalanchecapabi

AOSMDAlpha & Omega Semiconductors

万国半导体美国万国半导体

AOSMD
AOTF11N70

700V,11AN-ChannelMOSFET

GeneralDescription TheAOT11N70&AOTF11N70havebeenfabricatedusinganadvancedhighvoltageMOSFETprocessthatisdesignedtodeliverhighlevelsofperformanceandrobustnessinpopularAC-DCapplications.ByprovidinglowRDS(on),CissandCrssalongwithguaranteedavalanchecapabi

AOSMDAlpha & Omega Semiconductors

万国半导体美国万国半导体

AOSMD
AOT11N70

iscN-ChannelMOSFETTransistor

文件：305.6 Kbytes Page：2 Pages

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
AOTF11N70

iscN-ChannelMOSFETTransistor

文件：296.31 Kbytes Page：2 Pages

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

AOWF11N70产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    AOWF11N70

  • 功能描述

    MOSFET N-CH 700V 11A TO262F

  • RoHS

    是

  • 类别

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列

    -

  • 标准包装

    1,000

  • 系列

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型

    MOSFET N 通道，金属氧化物 FET

  • 特点

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss)

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C

    18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C

    180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的

  • Vgs(th)（最大）

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大

    40W

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装

    TO-220FP

  • 包装

    管件

AOWF11N70供应商更多...

更新时间：2024-4-19 20:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市得捷芯城科技有限公司
AOWF11N70
AOS/万代
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NA/
130
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22+
NA
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AOS/万代
22+
TO262F
25000
AOS/万代全系列在售
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AOWF11N70
Alpha & Omega Semiconductor In
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TO2623 Long Leads I2Pak TO262A
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