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位置：首页 > IC中文资料第2544页 > AOTF9N70

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
AOTF9N70

700V, 9A N-Channel MOSFET

The AOT9N70 & AOTF9N70 & AOB9N70 have been fabricated using an advanced high voltage MOSFET process that is designed to deliver high levels of performance and robustness in popular AC-DC applications. By providing low R DS(on), C iss and C rss along with guaranteed avalanche capabil

AOSMD

万国半导体

AOTF9N70

700V, 9A N-Channel MOSFET

The AOT9N70 & AOTF9N70 & AOB9N70 have been fabricated using an advanced high voltage MOSFET process that is designed to deliver high levels of performance and robustness in popular AC-DC applications. By providing low R DS(on), C iss and C rss along with guaranteed avalanche capabil

AOSMD

万国半导体

AOTF9N70

isc N-Channel MOSFET Transistor

文件：296.31 Kbytes Page：2 Pages

ISC

无锡固电

AOTF9N70

高压MOSFET (500V - 1000V)

AOS

美国万代

AOTF9N70L

isc N-Channel MOSFET Transistor

文件：296.75 Kbytes Page：2 Pages

ISC

无锡固电

AOB9N70

700V, 9A N-Channel MOSFET

The AOT9N70 & AOTF9N70 & AOB9N70 have been fabricated using an advanced high voltage MOSFET process that is designed to deliver high levels of performance and robustness in popular AC-DC applications. By providing low R DS(on), C iss and C rss along with guaranteed avalanche capabil

AOSMD

万国半导体

AOB9N70L

700V, 9A N-Channel MOSFET

The AOT9N70 & AOTF9N70 & AOB9N70 have been fabricated using an advanced high voltage MOSFET process that is designed to deliver high levels of performance and robustness in popular AC-DC applications. By providing low R DS(on), C iss and C rss along with guaranteed avalanche capabil

AOSMD

万国半导体

9N70

9A, 700V N-CHANNEL POWER MOSFET

文件：147.6 Kbytes Page：3 Pages

UTC

友顺

AOB9N70

isc N-Channel MOSFET Transistor

文件：299.11 Kbytes Page：2 Pages

ISC

无锡固电

AOB9N70L

isc N-Channel MOSFET Transistor

文件：299.12 Kbytes Page：2 Pages

ISC

无锡固电

AOTF9N70产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    AOTF9N70

  • 功能描述

    MOSFET N-CH 700V 9A TO220F

  • RoHS

    是

  • 类别

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列

    -

  • 标准包装

    1,000

  • 系列

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型

    MOSFET N 通道，金属氧化物 FET

  • 特点

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss)

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C

    18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C

    180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的

  • Vgs(th)（最大）

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大

    40W

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装

    TO-220FP

  • 包装

    管件

AOTF9N70供应商更多...

更新时间：2025-11-23 20:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市得捷芯城科技有限公司
AOTF9N70
AO/万代
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