型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
AOTF8N65

isc N-Channel MOSFET Transistor

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ISC

无锡固电

AOTF8N65

650V, 8A N-Channel MOSFET

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AOSMD

万国半导体

AOTF8N65

高压MOSFET (500V - 1000V)

AOS

美国万代

包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述:MOSFET N-CH TO220 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 单个

ETC

知名厂家

HIPERFET Power MOSFTETs

HiPerFETs The hIPerFET family of Power MOSFETs is designed to provice superior dv/dt, performance while eliminating the need for discrete, fase recovery free wheeling rectifiers In a board range of power switching applications.

IXYS

艾赛斯

HIPERFET Power MOSFTETs

HiPerFETs The hIPerFET family of Power MOSFETs is designed to provice superior dv/dt, performance while eliminating the need for discrete, fase recovery free wheeling rectifiers In a board range of power switching applications.

IXYS

艾赛斯

N-CHANNEL MOSFET

FEATURES Low gate charge Low Crss (typical 16pF ) Fast switching 100 avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS product APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts based on half bridge UPS

JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

华微电子吉林华微电子股份有限公司

650V N-Channel MOSFET

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SEMIHOW

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

文件:343.96 Kbytes Page:9 Pages

CYSTEKEC

全宇昕科技

AOTF8N65产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    AOTF8N65

  • 功能描述

    MOSFET N-CH 650V 8A TO220F

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列

    -

  • 标准包装

    1,000

  • 系列

    MESH OVERLAY™ FET

  • MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss)

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大)

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大

    40W

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装

    TO-220FP

  • 包装

    管件

更新时间:2026-3-16 9:03:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
AOS/万代
24+
TO-220F
60000
AO原装
24+
TO-220F
30980
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330000
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