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AOTF12N65

650V, 12A N-Channel MOSFET

AOTF12N65 -> Marking : TF12N65 The AOT12N65 & AOTF12N65 have been fabricated using an advanced high voltage MOSFET process that is designed to deliver high levels of performance and robustness in popular AC-DC applications. http://www.aosmd.com/res/markings/AOTF12N65.pdf

AOSMD

万国半导体

AOTF12N65

650V, 12A N-Channel MOSFET

AOTF12N65 -> Marking : TF12N65 The AOT12N65 & AOTF12N65 have been fabricated using an advanced high voltage MOSFET process that is designed to deliver high levels of performance and robustness in popular AC-DC applications. http://www.aosmd.com/res/markings/AOTF12N65.pdf

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万国半导体

AOTF12N65

isc N-Channel MOSFET Transistor

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ISC

无锡固电

AOTF12N65

高压MOSFET (500V - 1000V)

AOS

美国万代

封装/外壳:TO-220-3 整包 包装:散装 描述:MOSFET N-CH 650V 12A TO220F 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 单个

ETC

知名厂家

isc N-Channel MOSFET Transistor

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ISC

无锡固电

650V N-Channel Power MOSFET

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DYELEC

迪一电子

12A 650V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

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WXDH

东海半导体

12A 650V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

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WXDH

东海半导体

12A 650V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

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WXDH

东海半导体

12A 650V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

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WXDH

东海半导体

AOTF12N65产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    AOTF12N65

  • 功能描述

    MOSFET N-CH 650V 12A TO220F

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列

    -

  • 标准包装

    1,000

  • 系列

    MESH OVERLAY™ FET

  • MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss)

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大)

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大

    40W

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装

    TO-220FP

  • 包装

    管件

更新时间:2025-11-22 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
AOT
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优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
AOS/万代
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一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
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