型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
AOT8N65

650V, 8A N-Channel MOSFET

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AOSMD

万国半导体

AOT8N65

isc N-Channel MOSFET Transistor

文件:305.54 Kbytes Page:2 Pages

ISC

无锡固电

AOT8N65

N-Channel 650V (D-S) Power MOSFET

文件:1.10559 Mbytes Page:10 Pages

VBSEMI

微碧半导体

AOT8N65

高压MOSFET (500V - 1000V)

AOS

美国万代

8A, 650V N-CHANNEL POWER MOSFET

■ DESCRIPTION The UTC 8N65 is a high voltage and high current power MOSFET designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and high rugged avalanche characteristics. This power MOSFET is usually used in high speed switching applicat

UTC

友顺

8A mps,650 Volts N-CHANNEL MOSFET

文件:194.92 Kbytes Page:2 Pages

CHONGQING

平伟实业

isc N-Channel Mosfet Transistor

文件:96.62 Kbytes Page:2 Pages

ISC

无锡固电

650V N-Channel Power MOSFET

文件:2.0404 Mbytes Page:9 Pages

DYELEC

迪一电子

N-Channel 650V (D-S) Power MOSFET

文件:1.1056 Mbytes Page:10 Pages

VBSEMI

微碧半导体

AOT8N65产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    AOT8N65

  • 功能描述

    MOSFET N-CH 650V 8A TO220

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列

    -

  • 标准包装

    1,000

  • 系列

    MESH OVERLAY™ FET

  • MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss)

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大)

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大

    40W

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装

    TO-220FP

  • 包装

    管件

更新时间:2026-1-27 15:02:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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