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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
20A, 600V N-CHANNEL POWER MOSFET ■ DESCRIPTION The UTC 20N60 is an N-channel enhancement mode power MOSFET using UTC’s advanced technology to provide customers with planar stripe and DMOS technology. This technology is specialized in allowing a minimum on-state resistance and superior switching performance. It also can withstand | UTC 友顺 |   | ||
HiPerFAST IGBT VCES = 600 V IC25 = 40 A VCE(sat)typ = 1.7 V tfi(typ) = 100 ns Features • International standard packages JEDEC TO-268 surface mountable and JEDEC TO-247 AD • High current handling capability • Latest generation HDMOSTM process • MOS Gate turn-on - drive simplicity | IXYS 艾赛斯 | | ||
Fast Switching 文件：95.42 Kbytes Page：2 Pages | ISC 无锡固电 | | ||
N-Channel 650-V (D-S) Super Junction MOSFET 文件：1.15549 Mbytes Page：11 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | | ||
20A 600V N-channel enhanced field effect transistor 文件：833.85 Kbytes Page：6 Pages | YFWDIODE 佑风微 | |
AOT20N60L产品属性
- 类型
描述
- 型号
AOT20N60L
- 功能描述
MOSFET N-CH 600V 20A TO220
- RoHS
是
- 类别
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列
-
- 标准包装
1,000
- 系列
MESH OVERLAY™ FET
- 型
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
- 特点
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大
40W
- 安装类型
通孔
- 封装/外壳
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装
TO-220FP
- 包装
管件
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON/英飞凌 |
24+ |
TO 220 |
160325 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
|||
INFINEON |
24+ |
TO-3P |
9500 |
郑重承诺只做原装进口现货 |
|||
FAIRCHILD/仙童 |
22+ |
TO-262 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
|||
TO220/ |
43 |
全新原装进口自己库存优势 |
|||||
Infineon(英飞凌) |
24+ |
标准封装 |
9048 |
原厂渠道供应,大量现货,原型号开票。 |
|||
RSUN |
24+ |
NA/ |
8787 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
|||
INFINEON |
2010+ |
TO-247 |
3000 |
||||
23+ |
TO220/ |
20000 |
全新原装假一赔十 |
||||
INFINEO |
24+ |
TO-247 |
80000 |
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增 |
|||
INFINEON |
9 |
TO-220 |
100 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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