位置:首页 > IC中文资料第2728页 > AOT20N60L
型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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20A, 600V N-CHANNEL POWER MOSFET ■ DESCRIPTION The UTC 20N60 is an N-channel enhancement mode power MOSFET using UTC’s advanced technology to provide customers with planar stripe and DMOS technology. This technology is specialized in allowing a minimum on-state resistance and superior switching performance. It also can withstand | UTC 友顺 | |||
HiPerFAST IGBT VCES = 600 V IC25 = 40 A VCE(sat)typ = 1.7 V tfi(typ) = 100 ns Features • International standard packages JEDEC TO-268 surface mountable and JEDEC TO-247 AD • High current handling capability • Latest generation HDMOSTM process • MOS Gate turn-on - drive simplicity | IXYS 艾赛斯 | |||
Fast Switching 文件:95.42 Kbytes Page:2 Pages | ISC 无锡固电 | |||
N-Channel 650-V (D-S) Super Junction MOSFET 文件:1.15549 Mbytes Page:11 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | |||
20A 600V N-channel enhanced field effect transistor 文件:833.85 Kbytes Page:6 Pages | YFWDIODE 佑风微 |
AOT20N60L产品属性
- 类型
描述
- 型号
AOT20N60L
- 功能描述
MOSFET N-CH 600V 20A TO220
- RoHS
是
- 类别
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列
-
- 标准包装
1,000
- 系列
MESH OVERLAY™ FET
- 型
MOSFET N 通道,金属氧化物 FET
- 特点
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C
18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°
- C
180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的
- Vgs(th)(最大)
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大
40W
- 安装类型
通孔
- 封装/外壳
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装
TO-220FP
- 包装
管件
IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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INFINEON/英飞凌 |
25+ |
TO263 |
54815 |
百分百原装现货,实单必成,欢迎询价 |
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TO220/ |
43 |
全新原装进口自己库存优势 |
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INFINEON |
24+ |
TO263 |
20000 |
全新原厂原装,进口正品现货,正规渠道可含税!! |
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DONGHAI |
23+ |
TO-220 |
80000 |
原装正品,一级代理 |
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INFINEON |
TO-220 |
7562 |
一级代理 原装正品假一罚十 价格优势 实单带接受价 |
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Infineon(英飞凌) |
23+ |
N/A |
12000 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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INFINEO |
24+ |
TO-247 |
80000 |
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增 |
|||
INFINEON |
0728+ |
TO-263 |
82 |
优势 |
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Infineon |
24+ |
TO-3P |
27500 |
原装正品,价格最低! |
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Infineon(英飞凌) |
24+ |
标准封装 |
7000 |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
AOT20N60L规格书下载地址
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