型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
AOT10N65

650V,10A N-Channel MOSFET

General Description The AOT10N65 & AOTF10N65 have been fabricated using an advanced high voltage MOSFET process that is designed to deliver high levels of performance and robustness in popular AC-DC applications. By providing low RDS(on), Ciss and Crss along with guaranteed avalanche capabili

AOSMD

万国半导体

AOT10N65

isc N-Channel MOSFET Transistor

文件:305.06 Kbytes Page:2 Pages

ISC

无锡固电

AOT10N65

N-Channel 650V (D-S) Power MOSFET

文件:1.10567 Mbytes Page:10 Pages

VBSEMI

微碧半导体

AOT10N65

高压MOSFET (500V - 1000V)

AOS

美国万代

10A 650V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

文件:1.07913 Mbytes Page:10 Pages

WXDH

东海半导体

10A 650V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

文件:1.07854 Mbytes Page:10 Pages

WXDH

东海半导体

N-Channel 650V (D-S) Power MOSFET

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VBSEMI

微碧半导体

N-Channel 6 50V (D-S) Power MOSFET

文件:2.17857 Mbytes Page:10 Pages

VBSEMI

微碧半导体

Drain Current ID= 2A@ TC=25C

文件:136.58 Kbytes Page:2 Pages

ISC

无锡固电

AOT10N65产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    AOT10N65

  • 功能描述

    MOSFET N-CH 650V 10A TO220

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列

    -

  • 标准包装

    1,000

  • 系列

    MESH OVERLAY™ FET

  • MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss)

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大)

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大

    40W

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装

    TO-220FP

  • 包装

    管件

更新时间:2025-12-27 13:35:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Alpha & Omega Semiconductor In
22+
TO2203
9000
原厂渠道,现货配单
AOS/万代
24+
TO-220
60000
全新原装现货
AOS
25+
TO-2203L
86720
全新原装进口现货价格优惠 本公司承诺原装正品假一赔
AOS
21+
TO-220铁头
10
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
-
23+
NA
5000
原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详
AOS
24+
TO-220
19289
公司现货库存 支持实单
24+
N/A
53000
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择
AOS/万代
22+
TO220
25000
AOS/万代全系列在售
AOS/万代
20+
TO-220
390
现货很近!原厂很远!只做原装
AOS/万代
23+
TO-220
24190
原装正品代理渠道价格优势

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