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位置：首页 > IC中文资料第913页 > AOP605

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
AOP605

Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor

General Description The AOP605/L uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. The complementary MOSFETs form a high-speed power inverter, suitable for a multitude of applications. AOP605 and AOP605L are electrically identical. -RoHS Compliant -AOP605L is H

AOSMD

万国半导体

AOP605

Plastic Encapsulated Device

文件：107.69 Kbytes Page：5 Pages

AOSMD

万国半导体

AOP605

Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor

文件：584.62 Kbytes Page：9 Pages

AOSMD

万国半导体

AOP605

MOSFET：Complementary

AOS

美国万代

AOP605L

Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor

General Description The AOP605/L uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. The complementary MOSFETs form a high-speed power inverter, suitable for a multitude of applications. AOP605 and AOP605L are electrically identical. -RoHS Compliant -AOP605L is H

AOSMD

万国半导体

AOP605_06

Plastic Encapsulated Device

文件：107.69 Kbytes Page：5 Pages

AOSMD

万国半导体

AOP605_09

Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor

文件：584.62 Kbytes Page：9 Pages

AOSMD

万国半导体

AOP605L

Plastic Encapsulated Device

文件：107.69 Kbytes Page：5 Pages

AOSMD

万国半导体

605A

TREK 605A

PRODUCT HIGHLIGHTS  Line and load regulation better than 0.002%  Automatic current limit feature to protect the instrument from output short circuits or overloads  Remote high voltage on/off feature ideal for use with automated or computercontrolled systems

ADVANCEDENERGY

先进能源工业

605

3M??Scotch짰 Transparent Film Tape

文件：571.85 Kbytes Page：5 Pages

3M

605F

Two Terminal Metal Element Current Sense

文件：119.98 Kbytes Page：1 Pages

OHMITE

605F

DC axial compact fan

文件：299.98 Kbytes Page：4 Pages

EBMPAPST

依必安派特

605FE

Two Terminal Metal Element Current Sense

文件：119.98 Kbytes Page：1 Pages

OHMITE

AOP605产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    AOP605

  • 功能描述

    MOSFET N/P-CH COMPL 30V 8-PDIP

  • RoHS

    是

  • 类别

    分离式半导体产品 >> FET - 阵列

  • 系列

    -

  • 产品目录绘图

    8-SOIC Mosfet Package

  • 标准包装

    1

  • 系列

    - FET

  • 型

    2 个 N 沟道（双） FET

  • 特点

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss)

    60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C

    3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C

    75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的

  • Vgs(th)（最大）

    3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs

    20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds

    - 功率 -

  • 最大

    1.4W

  • 安装类型

    表面贴装

  • 封装/外壳

    PowerPAK? SO-8

  • 供应商设备封装

    PowerPAK? SO-8

  • 包装

    Digi-Reel®

  • 产品目录页面

    1664(CN2011-ZH PDF)

  • 其它名称

    SI7948DP-T1-GE3DKR

AOP605供应商更多...

更新时间：2025-11-23 22:56:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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