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AONH36334

30V Dual Asymmetric N-Channel MOSFET

General Description • Latest Trench Power MOSFET technology • Very Low RDS(on) at 4.5VGS • Low Gate Charge • High Current Capability • RoHS and Halogen-Free Compliant Application • DC/DC Converters in Computing, Servers, and POL • Isolated DC/DC Converters in Telecom and Industrial

AOSMD

万国半导体

AONH36334

包装:卷带(TR) 描述:MOSFET N-CH 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 单个

ETC

知名厂家

更新时间:2025-8-15 23:01:00
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