型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
AO4619

ComplementaryEnhancementModeFieldEffectTransistor

GeneralDescription TheAO4619usesadvancedtrenchtechnologyMOSFETstoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.ThecomplementaryMOSFETsmaybeusedininverterandotherapplications.StandardProductAO4619isPb-free(meetsROHS&Sony259specifications). Features n-channel

AOSMDAlpha & Omega Semiconductors

万国半导体美国万国半导体

AOSMD

ZENERDIODECHIPS

•1N4614THRU1N4627AVAILABLEINJANHCANDJANKCPERMIL-PRF-19500/435 •ZENERDIODECHIPS •ALLJUNCTIONSCOMPLETELYPROTECTEDWITHSILICONDIOXIDE •ELECTRICALLYEQUIVALENTTO1N4614THRU1N4627 •0.5WATTCAPABILITYWITHPROPERHEATSINKING •COMPATIBLEWITHALLWIREBONDINGANDDIEATTAC

CDI-DIODE

Compensated Deuices Incorporated

CDI-DIODE

Heyco®-TiteEMCBrassLiquidTightCordgrips

文件:340.26 Kbytes Page:1 Pages

HeycoHeyco.

海科

Heyco

MountingBaseDoubleBananaJack&BindingPost,Miniature

文件:28.34 Kbytes Page:1 Pages

POMONA

Pomona Electronics

POMONA

192kHz4-chAudioCODEC

文件:1.53625 Mbytes Page:73 Pages

AKMAsahi Kasei Microsystems

旭化成微电子旭化成微电子株式会社

AKM

AO4619产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    AO4619

  • 功能描述

    MOSFET N/P-CH COMPL 30V 8-SOIC

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> FET - 阵列

  • 系列

    -

  • 产品目录绘图

    8-SOIC Mosfet Package

  • 标准包装

    1

  • 系列

    - FET

  • 2 个 N 沟道(双) FET

  • 特点

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss)

    60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C

    3A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C

    75 毫欧 @ 4.6A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大)

    3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs

    20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds

    - 功率 -

  • 最大

    1.4W

  • 安装类型

    表面贴装

  • 封装/外壳

    PowerPAK? SO-8

  • 供应商设备封装

    PowerPAK? SO-8

  • 包装

    Digi-Reel®

  • 产品目录页面

    1664(CN2011-ZH PDF)

  • 其它名称

    SI7948DP-T1-GE3DKR

更新时间:2025-6-27 20:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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