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AN1049

MINIMIZEPOWERLOSSESOFLIGHTLYLOADEDFLYBACK

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STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体集团

STMICROELECTRONICS

Inst,4Pr#18StrBC,PVC-NYLInsE1,IS/OS,BlkPVCJkt,600VTC-ER150VNPLF90CDry/Wet

ProductDescription ULInstrumentation,4Pair18AWG(7x26)BareCopper,PVC-NYLInsulationE1ColorCode,Individual&OverallBeldfoil®Shield,BlackPVCOuterJacket, 600VTC-ER150VNPLF90CDry/WetSUNRESDIRBUR

BELDENBelden Inc.

百通电缆设计科技有限公司

BELDEN

BasestationLDMOStransistor

DESCRIPTION 125WLDMOSpowertransistorforbasestation applicationsatfrequenciesfrom800MHzto1000MHz. FEATURES •Typicalperformanceatasupplyvoltageof27V: –1-toneCW;IDQ=1000mA –Outputpower=125W –Gain=16.5dB –Efficiency=54 –EDGEoutpu

PhilipsPhilips Semiconductors

飞利浦荷兰皇家飞利浦

AudioFrequencyAmplifierApplications

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TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA

GULLWINGCASCADABLEARJ1049AMPLIFIER

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TELEDYNETeledyne Technologies Incorporated

华特力科

TELEDYNE
更新时间:2025-7-30 14:09:00
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