| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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AN1049 | MINIMIZEPOWERLOSSESOFLIGHTLYLOADEDFLYBACK 文件：282.5 Kbytes Page：24 Pages | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团 |  |   |
Inst,4Pr#18StrBC,PVC-NYLInsE1,IS/OS,BlkPVCJkt,600VTC-ER150VNPLF90CDry/Wet ProductDescription ULInstrumentation,4Pair18AWG(7x26)BareCopper,PVC-NYLInsulationE1ColorCode,Individual&OverallBeldfoil®Shield,BlackPVCOuterJacket, 600VTC-ER150VNPLF90CDry/WetSUNRESDIRBUR | BELDENBelden Inc. 百通电缆设计科技有限公司 |  | | |
BasestationLDMOStransistor DESCRIPTION 125WLDMOSpowertransistorforbasestation applicationsatfrequenciesfrom800MHzto1000MHz. FEATURES •Typicalperformanceatasupplyvoltageof27V: –1-toneCW;IDQ=1000mA –Outputpower=125W –Gain=16.5dB –Efficiency=54 –EDGEoutpu | PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦 | Philips | | |
AudioFrequencyAmplifierApplications 文件：341.93 Kbytes Page：3 Pages | TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝 |  | | |
GULLWINGCASCADABLEARJ1049AMPLIFIER 文件：95.42 Kbytes Page：1 Pages | TELEDYNETeledyne Technologies Incorporated 华特力科 |  | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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2012-12-28
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