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AMS3400SRG	Super high density cell design for extremely low RDS(ON) DESCRIPTION The AMS3400SRG is the N-Channel logic enhancement mode power field effect transistor is produced using high cell density, DMOS trench technology. This high-density process is especially tailored to minimize on-state resistance. These devices are particularly suited for low voltage ap	AMS	AMS
3400	4.8A竊?0V N-CHANNEL MOSFET 文件：119.58 Kbytes Page：6 Pages	KIA 可易亚半导体	KIA
3400	Heyco® PG and Metric Threaded Plugs 文件：114.81 Kbytes Page：1 Pages	HeycoHeyco. 海科	Heyco
3400	Precision Potentiometer 文件：157.05 Kbytes Page：1 Pages	Bourns 伯恩斯	Bourns
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3400	The 3400 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) 文件：1.89155 Mbytes Page：6 Pages	LUGUANG 鲁光电子	LUGUANG

AMS3400SRG产品属性

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型号
AMS3400SRG
制造商
AMS
制造商全称
AMS
功能描述
Super high density cell design for extremely low RDS(ON)

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更新时间：2025-8-31 16:10:00

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