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AM81214-030

L-BAND RADAR APPLICATIONS RF & MICROWAVE TRANSISTORS

DESCRIPTION The AM81214-030 device is a high power transistor specifically designed for L-Band Radar pulsed driver applications. ■ REFRACTORY/GOLD METALLIZATION ■ EMITTER SITE BALLASTED ■ RUGGEDIZED VSWR ∞:1 ■ LOW THERMAL RESISTANCE ■ INPUT/OUTPUT MATCHING ■ OVERLAY GEOMETRY ■ METAL/CERAMI

STMICROELECTRONICS

意法半导体

AM81214-030

NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

DESCRIPTION: The ASI AM81214-030 is Designed for 1215 – 1400 MHz, L-Band Radar Applications. FEATURES: • Internal Input/Output Matching Network • PG = 7.2 dB at 5.0 W(peak)/1400 MHz • Omnigold™ Metalization System

ASI

AM81214-030产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    AM81214-030

  • 制造商

    ASI

  • 制造商全称

    ASI

  • 功能描述

    NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

更新时间:2025-8-17 23:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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