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EN29LV800T70RS	8Megabit(1024Kx8-bit/512Kx16-bit)FlashMemoryBootSectorFlashMemory,CMOS3.0Volt-only GENERALDESCRIPTION TheEN29LV800isan8-Megabit,electricallyerasable,read/writenon-volatileflashmemory,organizedas1,048,576bytesor524,288words.Anybytecanbeprogrammedtypicallyin10µs.TheEN29LV800features3.0Vvoltagereadandwriteoperation,withaccesstimesasfastas5	EON Eon Silicon Solution Inc.
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EN29LV800T70RT	8Megabit(1024Kx8-bit/512Kx16-bit)FlashMemoryBootSectorFlashMemory,CMOS3.0Volt-only GENERALDESCRIPTION TheEN29LV800isan8-Megabit,electricallyerasable,read/writenon-volatileflashmemory,organizedas1,048,576bytesor524,288words.Anybytecanbeprogrammedtypicallyin10µs.TheEN29LV800features3.0Vvoltagereadandwriteoperation,withaccesstimesasfastas5	EON Eon Silicon Solution Inc.

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更新时间：2024-6-14 16:47:01

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